| 第一章 绪论 | 第1-30页 |
| §1-1 引言 | 第7-8页 |
| §1-2 硅中的氧及其施主效应 | 第8-15页 |
| 1-2-1 硅中氧的基本性质 | 第8-9页 |
| 1-2-2 硅中氧的施主效应 | 第9-14页 |
| 1-2-3 硅中氧的扩散 | 第14-15页 |
| §1-3 半导体中的辐照缺陷 | 第15-21页 |
| 1-3-1 辐照缺陷产生的机理 | 第15-16页 |
| 1-3-2 位移损伤缺陷的性质 | 第16-21页 |
| §1-4 位移损伤缺陷对硅宏观电学参数的影响 | 第21-24页 |
| 1-4-1 点缺陷的电荷复合模型 | 第21-23页 |
| 1-4-2 缺陷团的空间电荷模型 | 第23-24页 |
| §1-5 辐照对氧的影响及其对缺陷的控制与利用 | 第24-26页 |
| 1-5-1 辐照对氧沉淀的影响 | 第24页 |
| 1-5-2 辐照对硅中氧扩散的影响 | 第24-25页 |
| 1-5-3 直拉硅中辐照缺陷的控制与利用 | 第25-26页 |
| §1-6 本文工作主要研究内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 第二章 快中子辐照直拉硅的电学性能研究 | 第30-40页 |
| §2-1 引言 | 第30页 |
| §2-2 实验过程 | 第30-31页 |
| §2-3 实验结果与讨论 | 第31-38页 |
| 2-3-1 不同温度热处理后电阻率的变化 | 第31-35页 |
| 2-3-2 650℃预处理对热施主生成的影响 | 第35-36页 |
| 2-3-3 1200℃ RTP预处理对热施主生成的影响 | 第36-38页 |
| §2-4 小结 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 快中子辐照直拉硅中VO的研究 | 第40-51页 |
| §3-1 引言 | 第40页 |
| §3-2 实验过程 | 第40-41页 |
| §3-3 实验结果与讨论 | 第41-49页 |
| 3-3-1 快中子辐照CZ-Si的FTIR研究 | 第41-43页 |
| 3-3-2 低温热处理辐照缺陷VO的转化 | 第43-45页 |
| 3-3-3 不同剂量快中子辐照对VO退火行为的影响 | 第45-47页 |
| 3-3-4 快中子辐照CZ-Si的PAS研究 | 第47-49页 |
| §3-4 小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第四章 快中子辐照直拉硅中VO_2的研究 | 第51-59页 |
| §4-1 引言 | 第51-52页 |
| §4-2 样品及实验方法 | 第52-53页 |
| §4-3 实验结果与讨论 | 第53-57页 |
| 4-3-1 VO_2复合体的退火行为研究 | 第53-57页 |
| 4-3-2 高剂量快中子辐照对VO_2的抑制 | 第57页 |
| §4-4 小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第五章 快中子辐照硅中V_2的退火行为研究 | 第59-67页 |
| §5-1 引言 | 第59页 |
| §5-2 样品与实验过程 | 第59-60页 |
| §5-3 结果与讨论 | 第60-65页 |
| 5-3-1 快中子辐照区熔硅中V_2的退火行为研究 | 第60-62页 |
| 5-3-2 快中子辐照直拉硅中V_2的退火行为研究 | 第62-65页 |
| §5-4 小结 | 第65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第六章 结论 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 | 第69页 |
