InP基高速单片光子集成器件关键工艺的研究

中文摘要	第1-4页
ABSTRACT	第4-6页
目    录	第6-8页
第一章 绪论	第8-12页
·课题目的和意义	第8-9页
·高速单片光子集成器件的主要制作工艺及发展现状	第9-11页
·论文的主要内容和结果	第11-12页
第二章 面向城域网的新型低成本集成光源的研究	第12-23页
·引言	第12页
·新型半导体集成光源的结构设计	第12-16页
·同一外延结构的DFB激光器/EA调制器的集成	第13-14页
·同一外延结构的FP腔激光器/EA调制器的集成	第14-16页
·新型半导体集成光源的制作	第16-20页
·湿法腐蚀倒台型脊波导	第16-17页
·制作电极隔离槽	第17页
·制作图形电极	第17-18页
·ICP干法刻蚀耦合腔	第18-20页
·新型集成光源的特性分析	第20-22页
·本章小结	第22-23页
第三章 基于PECVD端面减反射镀膜技术的研究	第23-32页
·引言	第23-24页
·单层减反射膜的理论设计	第24-25页
·PECVD端面镀膜的夹具设计	第25-27页
·PECVD的结构和工作原理	第25-26页
·PECVD端面镀膜的夹具设计	第26-27页
·PECVD端面镀模的参数控制	第27页
·PECVD端面镀模的特性分析	第27-30页
·本章小结	第30-32页
第四章 面向40GHZ微波过渡热沉的制作	第32-41页
·引言	第32-33页
·微波过渡热沉制作工艺	第33-37页
·前期制作工艺存在的问题	第33-35页
·微波过渡热沉制作工艺的改进	第35-37页
·微波过渡热沉的特性测试	第37-40页
·本章小结	第40-41页
结   论	第41-42页
致   谢	第42页
声   明	第42-43页
参考文献	第43-48页
本人简历	第48页