| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-18页 |
| ·ZnO半导体光电子信息功能材料的研究背景及意义 | 第10-12页 |
| ·ZnO光电子信息功能材料研究现状 | 第12-15页 |
| ·本论文研究的思路和主要内容 | 第15-18页 |
| 第二章 氧化锌薄膜的制备和表征 | 第18-28页 |
| ·用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的原理简介 | 第18-19页 |
| ·ZnO薄膜样品的退火后处理 | 第19-22页 |
| ·非掺杂ZnO薄膜的结构表征(膜厚、XRD、SEM) | 第22-28页 |
| 第三章 制备条件对氧化锌薄膜光致发光特性和结晶状况的影响 | 第28-37页 |
| ·薄膜的光致发光原理 | 第28-29页 |
| ·在不同条件下制备的ZnO薄膜的室温光致发光结果和结晶状况 | 第29-34页 |
| ·没有经过退火处理的ZnO薄膜的SEM图谱 | 第34页 |
| ·对ZnO薄膜光致发光机理的讨论 | 第34-37页 |
| 第四章 加热后处理对氧化锌薄膜光致发光特性和结晶状况的影响 | 第37-46页 |
| ·真空退火对ZnO薄膜光致发光特性和结晶状况的影响 | 第37-41页 |
| ·空气中快速退火对ZnO薄膜光致发光特性的影响 | 第41-44页 |
| ·本章结论 | 第44-46页 |
| 第五章 结语 | 第46-48页 |
| ·已经得到的结论 | 第46-47页 |
| ·研究工作中的不足和需要进一步研究的问题 | 第47-48页 |
| 附录: 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
