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高频感应加热电源频率跟踪控制电路的研究

1 概述第1-21页
   ·硅单晶生长原理及感应加热现状第11-14页
     ·硅单晶生长的工作原理第11-12页
     ·国内外感应加热技术的发展与现状第12-14页
   ·驱动电路、调功技术及频率跟踪技术的发展现状第14-17页
     ·驱动电路的发展现状第14-15页
     ·调功技术的发展现状第15-16页
     ·频率跟踪技术的发展现状第16-17页
   ·选题意义、目的和任务第17-21页
     ·选题意义第17-18页
     ·课题的研究背景第18页
     ·本课题的目的及主要研究任务第18-19页
     ·课题难点及解决方法第19-21页
2 功率MOSFET驱动电路研究第21-49页
   ·功率MOSFET驱动特点及类型第21-24页
     ·栅极驱动的特点第21-23页
     ·驱动电路类型第23-24页
   ·功率MOSFET高速驱动电路设计应考虑的问题第24-28页
     ·功率MOSFET高速转换过程对驱动电路的要求第24-26页
     ·功率MOSFET转换过程的功率损耗第26-27页
     ·栅极有效电容的计算及驱动电流的确定第27-28页
   ·功率MOSFET高速驱动电路第28-37页
     ·驱动电路各参数计算第28-31页
     ·驱动电路的设计第31-36页
     ·负偏压与功率扩展电路第36-37页
   ·高端功率MOSFET驱动方式的研究第37-42页
     ·高低端功率MOSFET第37-38页
     ·高端功率MOSFET的栅极驱动要求第38-42页
   ·功率MOSFET谐振栅极驱动电路第42-47页
     ·工作原理第42-45页
     ·实验电路第45-47页
   ·高频功率MOSFET驱动电路布局第47-49页
3 串联谐振逆变器功率调节的研究第49-79页
   ·直流调功第49-50页
   ·逆变调功第50-71页
     ·脉冲频率调制法(PFM)第50-53页
     ·脉冲密度调制法(PDM)第53页
     ·移相调功第53-71页
   a 感性移相调功方式第54-62页
   b 容性移相调功方式第62-68页
   c 谐振移相调功方式第68-71页
   ·感性移相调功控制技术分析第71-79页
     ·感性移相调功控制方式下功率调节分析第71-73页
     ·移相臂关断应力分析第73-74页
     ·感性移相调功控制方法下的主电路分析第74-79页
   a 理想条件下感性移相调功控制主电路分析第75-76页
   b 软开关的实现第76-79页
4 频率跟踪控制电路的研究第79-107页
   ·频率跟踪的原理第79-84页
     ·锁相环的组成和工作原理第79-81页
     ·锁相环性能分析第81-84页
   ·频率跟踪的实现第84-98页
     ·74HC4046锁相环结构第84-86页
     ·74HC4046锁相环外接元件的设计第86-89页
     ·频率跟踪控制电路第89-90页
     ·锁相瞬态性能的改善第90-92页
     ·相位补偿的实现第92-96页
     ·死区形成电路第96-98页
   ·控制与保护电路第98-107页
     ·整流器的控制第98-100页
     ·保护电路第100-107页
5 实验结果及分析第107-120页
   ·系统参数及实验时所用的主要仪器第107页
   ·实验结果及分析第107-120页
     ·驱动电路实验结果第107-113页
     ·移相调功电路仿真结果第113-118页
     ·频率跟踪电路实验结果第118-120页
结论第120-122页
致谢第122-123页
参考文献第123-129页
论文情况第129页

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