| 致谢 | 第1-3页 |
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-42页 |
| ·GaAs基和InP基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料特性及其应用 | 第10-13页 |
| ·分子束外延技术简介 | 第13-21页 |
| ·MBE的由来 | 第13-14页 |
| ·MBE的基本原理与特点 | 第14-17页 |
| ·MBE技术的发展与现状 | 第17-18页 |
| ·V90型GSMBE系统简介 | 第18-21页 |
| ·分子束外延异质结构材料与器件 | 第21-28页 |
| ·异质结双极晶体管 | 第21-23页 |
| ·高电子迁移率晶体管 | 第23-27页 |
| ·新型光电集成器件与材料 | 第27-28页 |
| ·HBT材料与器件的研究进展 | 第28-35页 |
| ·GaAs基HBT的新进展 | 第29-31页 |
| ·InP基HBT的新进展 | 第31-34页 |
| ·InGaAsN材料在HBT中的应用 | 第34-35页 |
| ·国内外研究状况及本工作目的和意义 | 第35-37页 |
| ·本工作的主要研究内容 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-42页 |
| 第三章 具有n型掺杂层复合结构InGaAs／InP DHBT的特性分析 | 第42-69页 |
| ·HBT的电流传输过程与主要性能参数 | 第42-47页 |
| ·HBT材料结构 | 第47-53页 |
| ·n型摻杂层复合结构InGaAs／InP DHBT材料结构设计 | 第53-59页 |
| ·具有n型掺杂层复合结构的InGaAs／InP DHBT直流特性分析 | 第59-66页 |
| ·电流计算模型 | 第59-62页 |
| ·n型掺杂层厚度变化对导带势垒尖峰的影响 | 第62-63页 |
| ·不同n型掺杂层厚度对电流和电流增益的影响 | 第63-65页 |
| ·不同n型掺杂层浓度对电流的影响 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第四章 重碳掺杂p型InGaAs的GSMBE生长及其特性研究 | 第69-79页 |
| ·四溴化碳(CBr_4)气体处理与控制系统 | 第69-71页 |
| ·材料生长与表征方法 | 第71页 |
| ·碳掺杂InGaAs外延层生长过程中的杂质扩散 | 第71-72页 |
| ·碳掺杂p型InGaAs外延层的光学特性 | 第72-73页 |
| ·碳掺杂InGaAs的GSMBE生长特性 | 第73-76页 |
| ·用GSMBE技术生长掺碳InGaAs的氢钝化效应 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第五章 GSMBE生长InP基及含磷HBT材料与器件研究 | 第79-99页 |
| ·InP基及含磷HBT结构用外延材料的GSMBE生长与特性 | 第79-83页 |
| ·衬底准备 | 第79-80页 |
| ·GaAs和InP外延材料的GSMBE生长 | 第80-82页 |
| ·InGaAs外延材料的GSMBE生长 | 第82-83页 |
| ·GSMBE生长InP基及含磷化合物外延材料均匀性研究 | 第83-86页 |
| ·φ2英寸InGaAs外延层的组份均匀性 | 第83-84页 |
| ·φ4英寸InGaP外延层的组份均匀性 | 第84-85页 |
| ·φ4英寸GaAs外延层的掺杂均匀性 | 第85-86页 |
| ·掺Be基区InGaAs／InP HBT结构材料的GSMBE生长 | 第86-88页 |
| ·掺C基区InP／InGaAs／InP DHBT结构材料的GSMBE生长 | 第88-90页 |
| ·InGaP／GaAs HBT结构材料的GSMBE生长 | 第90-91页 |
| ·InP基及含磷HBT原型器件研制及其特性 | 第91-97页 |
| ·HBT器件流片工艺设计 | 第92-94页 |
| ·InGaP／GaAs HBT器件性能测试结果与分析 | 第94-96页 |
| ·InP／InGaAs／InP DHBT的结特性 | 第96-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-99页 |
| 第六章 总结 | 第99-100页 |
| 发表论文目录 | 第100页 |
| 参加的科研课题 | 第100-101页 |
| 作者简历 | 第101页 |
