MOCVD方法生长硅基GaN与AlxGa1-xN薄膜及其性能研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-32页 |
| ·氮化镓的基本性质 | 第12-14页 |
| ·氮化镓材料的制备方法 | 第14-18页 |
| ·氮化镓材料的掺杂 | 第18-19页 |
| ·氮化镓材料的器件应用 | 第19-24页 |
| ·氮化镓光电器件 | 第20-22页 |
| ·氮化镓基电子器件 | 第22-24页 |
| ·硅基氮化镓材枓生长及器件应用 | 第24-26页 |
| ·硅基氮化镓材料的生长 | 第24-25页 |
| ·硅基氮化镓发光二极管(LED) | 第25-26页 |
| ·立题思路及意义 | 第26-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第三章 MOCVD系统与外延生长工艺 | 第32-38页 |
| ·氮化镓MOCVD设备 | 第32-34页 |
| ·气体输送部分 | 第32-33页 |
| ·系统腔体 | 第33-34页 |
| ·氮化镓材料生长工艺 | 第34-37页 |
| ·衬底的清洗 | 第35-36页 |
| ·有机源流量计算及典型的生长条件 | 第36-37页 |
| ·材枓的表征 | 第37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第四章 氮化镓生长参数的优化 | 第38-48页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·实验步骤 | 第39-40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-45页 |
| ·外延温度对GaN生长的影响 | 第40-41页 |
| ·生长速率对外延层晶体质量的影响 | 第41-42页 |
| ·衬底转速对GaN外延生长的影响 | 第42-43页 |
| ·优化条件下生长的蓝宝石衬底上的GaN薄膜 | 第43-45页 |
| ·有待优化的参数 | 第45页 |
| ·MOCVD系统的优化设计与改进 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第五章 MOCVD生长硅基氮化镓薄膜 | 第48-66页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验步骤 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-63页 |
| ·采用LT-GaN缓冲层 | 第50-52页 |
| ·采用AlN缓冲层 | 第52-59页 |
| ·薄膜晶体质量的进一步优化 | 第59页 |
| ·原位退火处理对GaN薄膜晶体质量的影响 | 第59-60页 |
| ·膜内应力分析 | 第60-62页 |
| ·硅的高温扩散 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第六章 Ai_xGa_(1-x)N外延层的生长 | 第66-70页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·实验步骤 | 第66-67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-69页 |
| ·小结 | 第69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 论文结论 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 附: 在读期间发表的论文 | 第72页 |
