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多孔硅的表面活性剂修饰及多孔硅光谱温度效应的研究

第一章 绪论第1-24页
 §1.1多孔硅的研究历史第9-10页
 §1.2多孔硅的制备方法第10-11页
  1.2.1 阳极氧化法第10页
  1.2.2 化学腐蚀法第10-11页
  1.2.3 火花放电腐蚀法第11页
  1.2.4 高分辨光刻或电子刻蚀技术第11页
 §1.3多孔硅的微观结构和形成机理第11-14页
  1.3.1 多孔硅的微观结构第11-13页
  1.3.2 多孔硅的形成机理第13-14页
 §1.4多孔硅的研究方法第14-15页
  1.4.1 电子显微镜法第14页
  1.4.2 X射线衍射法第14页
  1.4.3 荧光分析法第14页
  1.4.4 拉曼光谱法第14-15页
 §1.5多孔硅的发光机制第15-18页
  1.5.1 量子限制效应模型第15页
  1.5.2 硅-氢键或多硅烷发光模型第15页
  1.5.3 Si6O3H6发光模型第15-16页
  1.5.4 表面态模型第16-17页
  1.5.5 量子限制-发光中心模型第17页
  1.5.6 小结第17-18页
 §1.6多孔硅的应用与展望第18-20页
  1.6.1 多孔硅的光致发光和电致发光器件第18-20页
  1.6.2 多孔硅的其它应用第20页
  1.6.3 多孔硅的应用展望第20页
 §1.7本论文的主要工作第20-21页
 参考文献第21-24页
第二章  表面活性剂修饰多孔硅荧光光谱第24-38页
 §2.1发光的基本概念和硅的能带结构第24-27页
  2.1.1 发光的基本概念第24-25页
  2.1.2 硅的能带结构第25-27页
 §2.2多孔硅制备条件对发光性能的影响第27-29页
  2.2.1 样品制备与荧光测量第27-28页
  2.2.2 实验结果第28页
  2.2.3 讨论和分析第28-29页
 §2.3表面活性剂修饰多孔硅的荧光光谱第29-33页
  2.3.1 表面活性剂简介第29-31页
  2.3.2 样品和实验第31-32页
  2.3.3 分析和讨论第32-33页
 §2.4不同浓度表面活性剂修饰多孔硅的荧光光谱第33-35页
  2.4.1 样品和实验第33-34页
  2.4.2 分析第34-35页
 §2.5本章总结第35-36页
 参考文献第36-38页
第三章  多孔硅荧光光谱温度效应研究第38-50页
 §3.1多孔硅样品的荧光光谱和低温效应研究第38-43页
  3.1.1 样品与实验第38-39页
  3.1.2 实验结果第39-42页
  3.1.3 分析和讨论第42-43页
 §3.2多孔硅样品的荧光光谱及其高温效应第43-47页
  3.2.1 样品制备与实验测量第43-46页
  3.2.2 分析和讨论第46-47页
 §3.3本章总结第47-48页
 参考文献第48-50页
第四章  多孔硅的拉曼光谱研究第50-60页
 §4.1拉曼光谱概述第50-53页
  4.1.1 拉曼散射的基本原理第50-51页
  4.1.2 拉曼散射的类型第51-52页
  4.1.3 拉曼散射光谱的应用和优点第52-53页
 §4.2多孔硅的拉曼光谱第53-57页
  4.2.1 实验第53页
  4.2.2 分析第53-57页
 §4.3本章总结第57-59页
 参考文献第59-60页
硕士期间完成的论文第60-61页
致谢第61页

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