| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-13页 |
| ·半导体激光器的发展概述 | 第7-8页 |
| ·高功率半导体激光器的应用前景 | 第8-10页 |
| ·高功率半导体激光器的研究进展 | 第10-12页 |
| ·本论文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 高功率半导体量子阱激光器的结构与制作 | 第13-19页 |
| ·大功率量子阱激光器的结构 | 第13-14页 |
| ·器件的制作工艺流程 | 第14-16页 |
| ·半导体激光器的测试 | 第16-18页 |
| ·本章总结 | 第18-19页 |
| 第三章 温度对半导体激光器性能参数的影响 | 第19-25页 |
| ·温度对性能参数的影响 | 第19-23页 |
| ·温度与阈值电流密度的关系 | 第19-21页 |
| ·温度对输出光功率的影响 | 第21页 |
| ·温度对微分量子效率的影响 | 第21-22页 |
| ·温度对激光器光谱的影响 | 第22-23页 |
| ·温度与激光器结构设计和工艺的关系 | 第23-24页 |
| ·本章总结 | 第24-25页 |
| 第四章 半导体激光器的温度的分布 | 第25-40页 |
| ·理论模型 | 第25-29页 |
| ·理论计算结果 | 第29-31页 |
| ·实验研究激光器的温度分布 | 第31-33页 |
| ·光致发光法测腔面温度 | 第33-36页 |
| ·拉曼光谱法测腔面温度(RM) | 第36-38页 |
| ·In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)的拉曼光谱 | 第36-37页 |
| ·拉曼光谱测量的实验结果 | 第37-38页 |
| ·本章总结 | 第38-40页 |
| 第五章 半导体激光器的可靠性及寿命 | 第40-48页 |
| ·电导数测量原理及方法 | 第40-41页 |
| ·半导体激光器电导数曲线及参数与器件可靠性关系 | 第41-43页 |
| ·InGaAsP半导体激光器的电导数测试结果 | 第43-45页 |
| ·寿命实验 | 第45-46页 |
| ·本章结论 | 第46-48页 |
| 第六章 激光器的退化及失效 | 第48-58页 |
| ·退化模式 | 第48-49页 |
| ·主要的退化机理 | 第49-52页 |
| ·灾变性光学损伤(COD) | 第52-55页 |
| ·过载与失效 | 第55-56页 |
| ·正确使用器件 | 第56-57页 |
| ·本章总结 | 第57-58页 |
| 第七章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 作者简介 | 第61页 |
| 发表文章 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |