| 中文摘要 | 第1-10页 |
| 英文摘要 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| §1． 1 引言 | 第13-14页 |
| §1． 2 自发磁化与交换作用 | 第14-15页 |
| 1． 2． 1 海森伯（Heisenberg）局域电子直接交换作用 | 第14-15页 |
| 1． 2． 2 超交换作用（过度族化合物中的间接交换作用） | 第15页 |
| 1． 2． 3 RKKY交换作用（金属中的间接交换作用） | 第15页 |
| §1． 3 磁各向异性 | 第15-18页 |
| 1． 3． 1 磁品各向异性 | 第16页 |
| 1． 3． 2 感生各向异性和磁弹性各向异性 | 第16-17页 |
| 1． 3． 3 表（界）面各向异性 | 第17页 |
| 1． 3． 4 单向各向异性 | 第17-18页 |
| §1． 4 形状各向异性 | 第18-21页 |
| 1． 4． 1 退磁场 | 第18-19页 |
| 1． 4． 2 退磁场能 | 第19-20页 |
| 1． 4． 3 形状各向异性 | 第20-21页 |
| §1． 5 磁化进动及自旋波 | 第21-23页 |
| 1． 5． 1 自旋进动及一致进动 | 第21-22页 |
| 1． 5． 2 自旋波的基本原理 | 第22-23页 |
| §1． 6 维度效应 | 第23-24页 |
| §1． 7 本论文的工作 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第二章 基本实验方法及测量原 | 第27-42页 |
| §2． 1 薄膜的制备 | 第27-31页 |
| 2． 1． 1 薄膜生长过程 | 第27页 |
| 2． 1． 2 分子束外延（Molecular Beam Epitaxy）生长单晶薄膜 | 第27-29页 |
| 2． 1． 3 溅射法制备多晶薄膜及多层膜 | 第29-30页 |
| 2． 1． 4 图形磁性结构物质的制备 | 第30-31页 |
| 2． 1． 5 基片的清洗 | 第31页 |
| §2． 2 厚度和结构的表征 | 第31-35页 |
| 2． 2． 1 X射线衍射（XRD） | 第31-33页 |
| 2． 2． 2 双光束干涉显微镜测厚法 | 第33页 |
| 2． 2． 3 扫描电子显微术，透射电子显微术（SEM，TEM及HRTEM） | 第33-34页 |
| 2． 2． 4 原子力显微镜及磁力显微镜（AFM及MFM） | 第34-35页 |
| §2． 3 物性测量 | 第35-40页 |
| 2． 3． 1 振动样品磁强计（VSM）和SQUID磁强计 | 第35-37页 |
| 2． 3． 2 磁光克尔效应测量系统及原位测量系统 | 第37-38页 |
| 2． 3． 3 铁磁共振（FMR） | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第三章 半导体衬底上外延生长Fe单晶超薄膜的磁性研究 | 第42-63页 |
| §3． 1 引言 | 第42页 |
| §3． 2 样品的制备及原位结构和磁性的表征 | 第42-45页 |
| §3． 3 对不同厚度的Fe／GaAs超薄膜的研究 | 第45-53页 |
| 3． 3． 1 磁光Kerr回线测量结果 | 第46页 |
| 3． 3． 2 铁磁共振测量的结果 | 第46-48页 |
| 3． 3． 3 理论模型及拟合 | 第48-51页 |
| 3． 3． 4 Fe在GaAs衬底上的生长演化过程 | 第51-53页 |
| 3． 3． 5 Fe／GaAs系统的磁各向异性的演化 | 第53页 |
| §3． 4 对不同厚度的Fe／InAs超薄膜的研究 | 第53-60页 |
| 3． 4． 1 磁光Kerr回线测量结果 | 第53-55页 |
| 3． 4． 2 铁磁共振测量测量结果 | 第55页 |
| 3． 4． 3 铁磁共振的理论拟合 | 第55-57页 |
| 3． 4． 4 Fe／InAs系统的磁各向异性 | 第57-58页 |
| 3． 4． 5 FMR共振场与平面内磁场角度依赖关系曲线不对称性的讨论 | 第58-59页 |
| 3． 4． 6 关于单轴各向异性 | 第59-60页 |
| §3． 5 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第四章 多晶单层薄膜及图形化薄膜磁性的研究 | 第63-89页 |
| §4． 1 引言 | 第63页 |
| §4． 2 多晶单晶坡莫合金薄膜Ta／NiFe／Ta 磁性的研究 | 第63-68页 |
| 4． 2． 1 样品的制备及结构的表征 | 第63-64页 |
| 4． 2． 2 磁性测量及结果 | 第64-65页 |
| 4． 2． 3 铁磁共振测量及结果 | 第65-66页 |
| 4． 2． 4 FMR的理论拟合和讨论 | 第66-68页 |
| §4． 3 电子束光刻微米亚微米矩形阵列坡莫合金薄膜的磁性研究 | 第68-77页 |
| 4． 3． 1 微米亚微米矩形阵列坡莫合金薄膜的制备及图形结构的表征 | 第68-69页 |
| 4． 3． 2 磁测量和铁磁共振测量 | 第69-71页 |
| 4． 3． 3 图形薄膜中非均匀退磁场对平面形状各向异性的影响 | 第71-75页 |
| 4． 3． 4 图形薄膜中的磁化强度的不均匀激发 | 第75-77页 |
| §4． 4 NiFeCo合金图形化单层膜及多层薄膜磁性的研究 | 第77-81页 |
| 4． 4． 1 微米亚微米矩形阵列NiFeCo合金薄膜的制备及图形结构的表征 | 第77-78页 |
| 4． 4． 2 磁测量和铁磁共振测 | 第78-80页 |
| 4． 4． 3 NiFeCo多层图形薄膜FMR共振线宽的讨论 | 第80-81页 |
| §4． 5 具有负剩磁的反走向磁滞回线的研究 | 第81-86页 |
| 4． 5． 1 反走向磁滞回线 | 第81-84页 |
| 4． 5． 2 反走向磁滞回线的反铁磁交换藕合模型及结果 | 第84-86页 |
| §4． 6 本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-89页 |
| 第五章 微米、亚微米矩形单元的退磁场和磁化状态的微磁学数值计算的研究 | 第89-103页 |
| §5． 1 引言 | 第89页 |
| §5． 2 退磁场的计算的研究 | 第89-95页 |
| 5． 2． 1 退磁场计算的理论模型 | 第89-92页 |
| 5． 2． 2 退磁场的数值计算结果讨论 | 第92-95页 |
| §5． 3 微米、亚微米矩形单元中磁化强度分布图象的计算 | 第95-102页 |
| 5． 3． 1 计算磁化状态的微磁学理论原理 | 第95-97页 |
| 5． 3． 2 磁化状态的理论计算结果：磁化强度的不均匀分布 | 第97-99页 |
| 5． 3． 3 磁化状态的理论计算结果：磁场对磁化分布的影响 | 第99-102页 |
| §5． 4 本章小结 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-103页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105页 |
