| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-12页 |
| 第一部分 有机薄膜发光的研究 | 第12-93页 |
| 第一章 绪论 | 第14-29页 |
| 1．1 有机电致发光的特点 | 第14-18页 |
| 1．1．1 有机电致发光颜色的丰富性 | 第14-15页 |
| 1．1．2 有机电致发光器件结构的多样性 | 第15-17页 |
| 1．1．3 有机电致发光器件注入电极的重要性 | 第17-18页 |
| 1．2 有机电致发光的基本理论 | 第18-24页 |
| 1．2．1 不同材料间的接触效应 | 第19-22页 |
| 1．2．2 有机电致发光机理 | 第22-24页 |
| 1．3 有机电致发光器件效率和寿命 | 第24-29页 |
| 1．3．1 电致发光器件的效率 | 第24-25页 |
| 1．3．2 电致发光器件的寿命 | 第25-29页 |
| 第二章 掺杂对有机薄膜发光特性的影响 | 第29-54页 |
| 2．1 引言 | 第29页 |
| 2．2 掺杂条件对掺杂PVK薄膜荧光谱的影响 | 第29-32页 |
| 2．3 掺芘PVK薄膜的荧光谱及光致发光机理 | 第32-42页 |
| 2．3．1 实验及结果 | 第32-34页 |
| 2．3．2 光致发光机理 | 第34-36页 |
| 2．3．3 掺杂及输运机制 | 第36-39页 |
| 2．3．4 能量传递与电荷转移 | 第39-42页 |
| 2．4 掺杂PPQ薄膜的荧光谱及电场调制 | 第42-47页 |
| 2．4．1 实验结果 | 第42-43页 |
| 2．4．2 光致发光机理 | 第43-45页 |
| 2．4．3 电致发光机理及电场调制 | 第45-47页 |
| 2．5 Rubrene掺杂Alq薄膜的荧光谱及发光机理 | 第47-54页 |
| 第三章 有机电致发光器件中激子的形成、解离及复合 | 第54-64页 |
| 3．1 引言 | 第54页 |
| 3．2 注入的电子和空穴在有机层中形成极化子激子 | 第54-57页 |
| 3．2．1 研究方法介绍 | 第54-56页 |
| 3．2．2 极化子激子的形成 | 第56-57页 |
| 3．3 强电场下极化子激子的解离 | 第57页 |
| 3．4 极化子激子的解离概率 | 第57-59页 |
| 3．5 激子的复合 | 第59-60页 |
| 3．5．1 复合概率及复合率密度 | 第59-60页 |
| 3．5．2 复合效率 | 第60页 |
| 3．6 复合发光内量子效率随电场、温度和杂质浓度的变化 | 第60-62页 |
| 3．7 与其他模型及实验结果比较 | 第62-64页 |
| 第四章 多种势垒对有机薄膜电致发光的影响 | 第64-81页 |
| 4．1 引言 | 第64页 |
| 4．2 注入势垒对有机薄膜电致发光的影响 | 第64-72页 |
| 4．2．1 引言 | 第64-65页 |
| 4．2．2 模型及公式 | 第65-67页 |
| 4．2．3 结果与讨论 | 第67-72页 |
| 4．2．4 结论 | 第72页 |
| 4．3 输运层势垒对有机薄膜电致发光的影响 | 第72-76页 |
| 4．3．1 引言 | 第72页 |
| 4．3．2 模型及公式 | 第72-74页 |
| 4．3．3 计算及讨论 | 第74-76页 |
| 4．3．4 结论 | 第76页 |
| 4．4 输运层厚度对有机薄膜电致发光的影响 | 第76-81页 |
| 第五章 有机电致发光器件的J-V关系 | 第81-93页 |
| 5．1 引言 | 第81页 |
| 5．2 单载流子注入器件的J-V关系 | 第81-83页 |
| 5．3 载流子注入器件的J-V关系 | 第83-86页 |
| 5．4 掺杂对载流子注入器件J-V关系的影响 | 第86-88页 |
| 5．5 电子加速层对有机电致发光器件J-V关系的影响 | 第88-93页 |
| 第二部分 多孔硅发光的研究 | 第93-116页 |
| 第六章 多孔硅的发光淬灭和发光增强效应 | 第93-100页 |
| 6．1 多孔硅的制备—电化学阳极腐蚀法 | 第93页 |
| 6．2 多孔硅的发光淬灭 | 第93-95页 |
| 6．3 多孔硅的微结构对多孔硅发光增强效应的影响 | 第95-98页 |
| 6．3．1 氧化电流密度对多孔硅发光的影响 | 第95-97页 |
| 6．3．2 热氧化温度对多孔硅发光的影响 | 第97-98页 |
| 6．4 本章小结 | 第98-100页 |
| 第七章 多孔硅的钝化及其光致和电致发光 | 第100-113页 |
| 7．1 多孔硅的钝化 | 第100-101页 |
| 7．1．1 碳膜的制备及多孔硅的钝化 | 第100页 |
| 7．1．2 碳膜的Raman光谱和红外光谱分析 | 第100-101页 |
| 7．2 钝化多孔硅的光致发光（PL） | 第101-104页 |
| 7．2．1 多孔硅与钝化多孔硅荧光谱比较 | 第101-102页 |
| 7．2．2 多孔硅与钝化多孔硅存放实验 | 第102页 |
| 7．2．3 多孔硅与钝化多孔硅红外光谱比较 | 第102-103页 |
| 7．2．4 讨论 | 第103-104页 |
| 7．2．5 小结 | 第104页 |
| 7．3 钝化条件对钝化多孔硅发光性能的影响 | 第104-107页 |
| 7．3．1 钝化温度的影响 | 第105-106页 |
| 7．3．2 钝化时间的影响 | 第106-107页 |
| 7．3．3 结论 | 第107页 |
| 7．4 钝化多孔硅的电致发光（EL） | 第107-113页 |
| 7．4．1 多孔硅发光器件的制备 | 第107-108页 |
| 7．4．2 多孔硅光致发光（PL）与电致发光（EL）比较 | 第108页 |
| 7．4．3 多孔硅发光器件的I-V关系 | 第108-109页 |
| 7．4．4 钝化层厚度不同多孔硅器件的I_（EL）-V关系 | 第109-110页 |
| 7．4．5 存放实验 | 第110页 |
| 7．4．6 讨论 | 第110-113页 |
| 第八章 结论 | 第113-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 附录A （攻读博士学位期间发表的论文目录） | 第117-120页 |
| 附录B （攻读博士学位期间承担的科研课题） | 第120页 |
