| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-36页 |
| 1．1 薄膜材料的分类和掺杂的作用 | 第10-17页 |
| 1．1．1 薄膜材料的分类 | 第10-16页 |
| 1．1．2 薄膜材料掺杂的作用 | 第16-17页 |
| 1．2 国内外电子薄膜材料掺杂改性研究进展 | 第17-34页 |
| 1．2．1 透明导电薄膜掺杂研究的进展 | 第17-22页 |
| 1．2．2 铁电薄膜掺杂研究的进展 | 第22-24页 |
| 1．2．3 发光薄膜掺杂研究的进展 | 第24-27页 |
| 1．2．4 电致变色薄膜掺杂研究的进展 | 第27-30页 |
| 1．2．5 气敏材料的掺杂研究的进展 | 第30-34页 |
| 1．3 掺杂最佳含量理论研究工作的创新点和意义 | 第34-36页 |
| 第二章 电子薄膜材料的晶体结构和能带结构 | 第36-50页 |
| 2．1 金属氧化物的晶体结构 | 第36-46页 |
| 2．2 金属氧化物的能带结构 | 第46-50页 |
| 第三章 薄膜的制备方法和形成过程 | 第50-60页 |
| 3．1 薄膜制备方法 | 第50-56页 |
| 3．1．1 真空蒸发沉积 | 第50-51页 |
| 3．1．2 溅射沉积 | 第51-52页 |
| 3．1．3 气相生长沉积 | 第52-53页 |
| 3．1．4 外延沉积 | 第53页 |
| 3．1．5 激光沉积 | 第53-54页 |
| 3．1．6 溶胶-凝胶技术 | 第54-55页 |
| 3．1．7 自组装与分子自组装技术 | 第55-56页 |
| 3．2 薄膜的形成过程 | 第56-60页 |
| 3．2．1 临界核的形成 | 第56-57页 |
| 3．2．2 岛的长大与接合 | 第57-58页 |
| 3．2．3 迷津结构的形成 | 第58页 |
| 3．2．4 连续膜的形成 | 第58页 |
| 3．2．5 生长中缺陷的掺合 | 第58-60页 |
| 第四章 薄膜材料最佳掺杂含量的定量理论 | 第60-74页 |
| 4．1 最佳掺杂含量的理论基础 | 第60-69页 |
| 4．1．1 金属氧化物晶体中的点缺陷 | 第60-63页 |
| 4．1．2 金属氧化物晶体中的点缺陷理论基础 | 第63-69页 |
| 4．2 最佳掺杂含量的定量理论 | 第69-74页 |
| 4．2．1 模型与假设 | 第69-71页 |
| 4．2．2 拟合抛物线方程与最佳掺杂含量公式 | 第71-74页 |
| 第五章 薄膜材料最佳掺杂含量理论应用 | 第74-98页 |
| 5．1 铝掺杂氧化锌薄膜 | 第74-75页 |
| 5．2 锡掺杂氧化铟薄膜 | 第75-77页 |
| 5．3 锑掺杂二氧化锡薄膜 | 第77-79页 |
| 5．4 钾掺杂纳米钛酸钡 | 第79-80页 |
| 5．5 钇掺杂锆钛酸铅薄膜 | 第80-81页 |
| 5．6 锰掺杂纳米硫化锌 | 第81-83页 |
| 5．7 锡掺杂α-氧化铁薄膜 | 第83-84页 |
| 5．8 硅掺杂碳化硼薄膜 | 第84页 |
| 5．9 硼掺杂碳膜 | 第84-86页 |
| 5．10 钽掺杂二氧化钛薄膜 | 第86-87页 |
| 5．11 钼掺杂三氧化钨薄膜 | 第87-88页 |
| 5．12 铒掺杂硅基发光材料 | 第88-89页 |
| 5．13 二氧化硅陶瓷 | 第89-90页 |
| 5．14 三氧化二铝陶瓷 | 第90页 |
| 5．15 氧化锌陶瓷 | 第90-91页 |
| 5．16 二氧化锡陶瓷 | 第91页 |
| 5．17 铜掺杂氧化铁陶瓷 | 第91-92页 |
| 5．18 铌酸锂晶体 | 第92页 |
| 5．19 钙掺杂二氧化锡气敏薄膜 | 第92-93页 |
| 5．20 锑掺杂二氧化锡气敏薄膜 | 第93-94页 |
| 5．21 铋掺杂二氧化锰电极材料 | 第94页 |
| 5．22 钴掺杂锂镍电池正极材料 | 第94-95页 |
| 5．23 锌掺杂磷酸三钙人工骨 | 第95-96页 |
| 5．24 锌掺杂LaSrCuO铜氧化物高温超导材料 | 第96页 |
| 5．25 钛掺杂石墨导热材料 | 第96-97页 |
| 5．26 Al-Fe合金布线材料 | 第97-98页 |
| 第六章 结论 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 作者简历 | 第108-109页 |
| 范志新读博有关论文发表情况 | 第109页 |