| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-16页 |
| ·前言 | 第8-9页 |
| ·GaN基材料及其发光器件的发展 | 第9页 |
| ·GaN基材料的基本性质 | 第9-12页 |
| ·GaN的结构特性 | 第9-10页 |
| ·GaN的电学特性 | 第10-11页 |
| ·GaN的光学特性 | 第11-12页 |
| ·LED可靠性研究现状 | 第12-13页 |
| ·本论文研究内容及行文安排 | 第13页 |
| 参考文献 | 第13-16页 |
| 第2章 Si衬底GaN基LED芯片及其器件大电流老化研究 | 第16-28页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·GaN基LED光电性能的相关概念 | 第17-18页 |
| ·大电流老化GaN/Si LED芯片实验 | 第18-26页 |
| ·不同电流下的大电流老化实验 | 第18-20页 |
| ·大电流老化与常规老化电流老化的对应关系 | 第20-22页 |
| ·功率型GaN基蓝光LED芯片大电流老化实验 | 第22-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第3章 Si衬底GaN基LED芯片及其器件抗静电实验研究 | 第28-33页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·静电实验 | 第29-32页 |
| ·静电放电(ESD)模式对GaN/Si蓝光LED良率的影响 | 第29-30页 |
| ·静电放电(ESD)条件对老化结果的影响 | 第30-31页 |
| ·有反射镜与无反射镜功率型蓝光LED芯片静电实验 | 第31-32页 |
| ·小结 | 第32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第4章 Si衬底功率型GaN基绿光LED性能研究 | 第33-45页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·GaN基LED的相关知识 | 第33-36页 |
| ·表征LED光学特性的基本参数 | 第33-34页 |
| ·与LED效率相关的几个概念 | 第34-36页 |
| ·Si衬底功率型GaN基绿光LED性能研究 | 第36-42页 |
| ·LED测试装置 | 第36页 |
| ·Si衬底功率型绿光LED性能研究 | 第36-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第5章 结论 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第47页 |
