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嵌入式存储器内建自测试和内建自修复技术研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-11页
第一章 绪论第11-22页
   ·嵌入式存储器的发展概述第11-12页
   ·存储器测试和修复技术研究现状第12-20页
     ·存储器测试技术第12-14页
     ·容错与避错第14-16页
     ·存储器修复技术第16-18页
     ·国内外研究概况第18-19页
     ·目前存在的技术难点第19-20页
   ·课题研究的意义第20-21页
   ·本课题的研究工作和论文组织第21-22页
第二章 常用的存储器自测试和自修复技术分析第22-35页
   ·存储器测试第22-29页
     ·故障类型第22-24页
     ·存储器的测试方法第24-26页
     ·存储器的测试算法第26-28页
     ·存储器测试系统的基本结构第28-29页
   ·存储器修复第29-33页
     ·存储器的修复策略第29-32页
     ·冗余资源对成品率和可靠性分析第32页
     ·存储器自修复系统的基本结构第32-33页
   ·本章小结第33-35页
第三章 嵌入式存储器自修复系统电路设计与实现第35-55页
   ·SRAM 存储器结构分析第35-37页
   ·基于二进制计数器的SRAM 内建自测试电路设计第37-41页
     ·MBIST 控制器和测试算法第39-40页
     ·地址生成器第40页
     ·测试向量第40页
     ·故障比较器第40-41页
   ·SRAM 内建自修复电路设计第41-46页
     ·改进的基于DWL 修复策略第41-43页
     ·SRAM 内建自修复电路结构第43-46页
   ·实验结果分析第46-53页
     ·实验平台第46-47页
     ·仿真结果分析第47-53页
   ·本章小结第53-55页
第四章 SRAM 内建自测试电路改进设计第55-65页
   ·基于LFSR 设计地址生成器分析第55-60页
     ·LFSR 伪随机序列生成器的原理第55-56页
     ·LFSR 伪随机序列生成器的优点第56-57页
     ·传统的LFSR 地址生成器电路结构第57-59页
     ·改进的LFSR 地址生成器电路结构第59-60页
   ·测试算法分析第60-61页
   ·实验结果分析第61-64页
   ·本章小结第64-65页
第五章 总结与展望第65-68页
   ·研究工作总结第65-66页
   ·下一步工作建议第66-68页
参考文献第68-73页
致谢第73-74页
在学期间发表的学术论文第74-75页
附录第75页

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