摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第1章 绪论 | 第10-20页 |
·铁电薄膜的应用 | 第10-12页 |
·铁电薄膜存贮器 | 第10-11页 |
·介质移相器 | 第11页 |
·集成光学器件 | 第11-12页 |
·BST薄膜的组成、结构与性能 | 第12-17页 |
·组成对结构、性能的影响 | 第12-14页 |
·制备工艺对薄膜结构和性能的影响 | 第14-15页 |
·取向度对薄膜结构和性能的影响 | 第15-16页 |
·应力对薄膜结构和性能的影响 | 第16-17页 |
·BST薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第17页 |
·金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第17页 |
·脉冲激光沉积法(PLD) | 第17-18页 |
·磁控溅射法 | 第18页 |
·存在的问题及本论文研究工作 | 第18-20页 |
第2章 BST薄膜的制备及性能表征 | 第20-27页 |
·实验过程 | 第20-24页 |
·BST陶瓷靶材的制备 | 第20-21页 |
·RF磁控溅射制备工艺 | 第21-23页 |
·退火工艺条件 | 第23-24页 |
·BST薄膜结构分析方法与性能表征手段 | 第24-27页 |
·BST薄膜微观结构分析 | 第24页 |
·BST薄膜光学性能表征 | 第24页 |
·BST薄膜电学性能表征 | 第24-27页 |
第3章 BST薄膜光性能研究 | 第27-56页 |
·薄膜光学常数计算方法 | 第27-33页 |
·光学常数计算理论 | 第27-31页 |
·薄膜折射率、消光系数、厚度的计算 | 第31-33页 |
·薄膜光学禁带宽度的求法 | 第33页 |
·基片温度对BST薄膜微观结构和光性能的影响 | 第33-46页 |
·基片温度对BST薄膜晶体结构的影响 | 第34-35页 |
·基片温度对BST薄膜光学性能的影响 | 第35-39页 |
·基片温度对BST薄膜光学禁带宽度的影响 | 第39-40页 |
·退火后BST薄膜微观结构和光性能 | 第40-46页 |
·退火温度对BST薄膜微观结构和光性能的影响 | 第46-51页 |
·退火温度对BST薄膜微观结构的影响 | 第46-48页 |
·退火温度对BST薄膜光性能的影响 | 第48-50页 |
·退火温度对BST薄膜光学禁带宽度的影响 | 第50-51页 |
·Ar/O_2比对BST薄膜微观结构和光性能的影响 | 第51-54页 |
·Ar/O_2比对BST薄膜晶体结构的影响 | 第51页 |
·Ar/O_2比对BST薄膜光性能的影响 | 第51-53页 |
·Ar/O_2比对BST薄膜光学禁带宽度的影响 | 第53-54页 |
·通过透射光谱计算与SEM估算的薄膜厚度的比较 | 第54-56页 |
第4章 BST薄膜电性能研究 | 第56-80页 |
·基片温度对BST薄膜微观结构及电性能的影响 | 第56-69页 |
·基片温度对BST薄膜微观结构的影响 | 第56-63页 |
·基片温度对BST薄膜组分的影响 | 第63-64页 |
·基片温度对BST薄膜介电、铁电性能的影响 | 第64-69页 |
·退火温度对BST薄膜微观结构与电性能的影响 | 第69-76页 |
·退火温度比对BST薄膜微观结构的影响 | 第69-74页 |
·退火温度对BST薄膜介电、铁电性能的影响 | 第74-76页 |
·BST薄膜择优取向及铁电性产生机制 | 第76-80页 |
·BST薄膜取向机制 | 第77-78页 |
·BST薄膜铁电性产生机制 | 第78-80页 |
第5章 结论 | 第80-81页 |
·结论 | 第80页 |
·创新点 | 第80-81页 |
参考文献 | 第81-86页 |
致谢 | 第86-87页 |
附录 | 第87页 |