| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-51页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·纳米材料的发展过程和特性 | 第16-18页 |
| ·纳米材料的发展 | 第16-17页 |
| ·纳米材料的特性 | 第17-18页 |
| ·一维纳米材料的生长、特性及应用 | 第18-26页 |
| ·一维纳米材料的生长 | 第19-23页 |
| ·一维纳米材料的特性及应用 | 第23-26页 |
| ·碳化硅晶体的制备、结构与性质 | 第26-31页 |
| ·SiC单晶的制备及结构 | 第27-29页 |
| ·SiC体单晶的性质 | 第29-31页 |
| ·碳化硅一维纳米材料的制备、性能及应用 | 第31-37页 |
| ·SiC一维纳米材料制备方法 | 第31-33页 |
| ·SiC一维纳米材料的性能及应用 | 第33-37页 |
| ·论文选题背景及研究内容 | 第37-39页 |
| ·选题背景 | 第37-38页 |
| ·主要研究内容 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-51页 |
| 第二章 实验内容、设备及测试仪器 | 第51-58页 |
| ·原始材料 | 第51页 |
| ·实验设备 | 第51页 |
| ·实验方法 | 第51-53页 |
| ·测试方法 | 第53-58页 |
| ·X射线衍射 | 第53页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第53-54页 |
| ·拉曼光谱仪 | 第54-55页 |
| ·光致发光光谱 | 第55页 |
| ·透射电子显微镜 | 第55-56页 |
| ·红外光谱仪 | 第56页 |
| ·紫外-可见光吸收光谱 | 第56-58页 |
| 第三章 以碳纤维为基底SiC纳米线的制备与表征 | 第58-86页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·碳纤维基底上SiC纳米线的制备 | 第58-59页 |
| ·SiC纳米线的组成、形貌和微结构分析 | 第59-65页 |
| ·X射线衍射仪分析 | 第59-60页 |
| ·场发射扫描电镜形貌及能谱分析 | 第60-62页 |
| ·透射电镜及电子衍射分析 | 第62-65页 |
| ·影响SiC纳米线生长的因素 | 第65-73页 |
| ·保温时间的影响 | 第65-68页 |
| ·真空度对碳纤维上生长SiC纳米线的影响 | 第68-71页 |
| ·温度对碳纤维上生长SiC纳米线的影响 | 第71-73页 |
| ·碳纤维基底上SiC纳米线的反应生长机理 | 第73-77页 |
| ·试管刷状SiC纳米线阵列的形成机理 | 第73-75页 |
| ·SiC纳米线生长热力学分析 | 第75-77页 |
| ·SiC纳米线的光学表征 | 第77-81页 |
| ·红外光谱分析 | 第77-78页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第78-79页 |
| ·光致发光性能分析 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 第四章 以石墨片为基底SiC纳米线的制备与表征 | 第86-139页 |
| ·引言 | 第86页 |
| ·SiC纳米线的制备 | 第86-87页 |
| ·SiC纳米线的组成、形貌和微结构分析 | 第87-92页 |
| ·X射线衍射仪分析 | 第87-88页 |
| ·场发射扫描电镜形貌及能谱分析 | 第88-90页 |
| ·透射电镜及电子衍射分析 | 第90-92页 |
| ·影响SiC纳米线生长的因素 | 第92-97页 |
| ·保温时间对SiC纳米线生长的影响 | 第92-94页 |
| ·真空度对石墨基板上生长SiC纳米线的影响 | 第94-95页 |
| ·温度的影响石墨基板上生长SiC纳米线的影响 | 第95-97页 |
| ·SiC孪晶纳米线的螺型位错生长机理 | 第97-109页 |
| ·SiC纳米线的螺位错生长机理 | 第99-102页 |
| ·SiC孪晶纳米线 | 第102-105页 |
| ·SiC孪晶纳米线反应生长和晶体学生长机理 | 第105-109页 |
| ·石墨基板上SiC纳米线的光学表征 | 第109-117页 |
| ·红外光谱分析 | 第109-110页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第110-113页 |
| ·光致发光性能分析 | 第113-114页 |
| ·紫外-可见吸收光谱分析 | 第114-117页 |
| ·石墨基板上SiC纳米线的场致电子发射性质 | 第117-120页 |
| ·场致电子发射实验及测试方法 | 第118页 |
| ·石墨板上SiC纳米线阵列的场发射性能 | 第118-120页 |
| ·SiC纳米线的堆垛层错与孪晶 | 第120-129页 |
| ·SiC的堆垛层错 | 第120-123页 |
| ·堆垛层错与孪晶关系 | 第123-129页 |
| ·本章小结 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-139页 |
| 第五章 金属硅化物热蒸发法及溶胶凝胶碳热还原法制备SiC纳米线 | 第139-149页 |
| ·引言 | 第139页 |
| ·热蒸发金属硅化物法制备SiC纳米线及其机理研究 | 第139-145页 |
| ·实验过程 | 第139-141页 |
| ·实验结果与讨论 | 第141-144页 |
| ·小结 | 第144-145页 |
| ·溶胶-凝胶碳热还原法制备SiC纳米线及其机理研究 | 第145-148页 |
| ·实验过程 | 第145页 |
| ·实验结果与讨论 | 第145-147页 |
| ·小结 | 第147-148页 |
| 参考文献 | 第148-149页 |
| 第六章 结论 | 第149-152页 |
| 攻读博士期间发表(提交)论文情况 | 第152-154页 |
| 致谢 | 第154页 |