GaN基LED的关键技术研究

摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-10页
第一章 绪论	第10-20页
·GaN 材料概述	第10-11页
·GaN 基LED 的发展以及应用前景	第11-16页
·以蓝宝石为衬底的GaN 基LED	第11-13页
·以Si 为衬底的GaN 基LED 的发展	第13-16页
·本文的主要工作与安排	第16-20页
第二章 H 原子对GAN 材料的作用	第20-34页
·MOCVD 技术概述	第20-25页
·MOCVD 系统特点	第20-23页
·新型MOCVD 系统	第23-24页
·西电MOCVD 系统的反应室设计	第24-25页
·H 与GaN 中掺杂剂的基本作用原理	第25-29页
·退火对GaN 材料的影响	第29-32页
·本章小结	第32-34页
第三章 GAN 基LED 的制备以及工艺流程	第34-48页
·材料的生长和器件的制备	第34-36页
·材料的生长	第34-35页
·GaN 基LED 的工艺流程	第35-36页
·n-GaN 欧姆接触	第36-37页
·p-GaN 欧姆接触	第37-46页
·退火后p 型电极结构模型	第37-38页
·空气中退火后Ni/Au 电极的微结构分析	第38-40页
·对氧化的Ni/Au 薄膜结构的能带结构分析	第40-44页
·在氮气中退火情况的讨论	第44-46页
·本章小节	第46-48页
第四章 GAN 基LED 特性研究	第48-66页
·GaN 基LED 的电学特性研究	第48-53页
·GaN 基 LED 基本电学特性研究	第48-50页
·GaN 基 LED 的可靠性研究	第50-53页
·p 型欧姆接触表面分析	第53-59页
·电子束与固体样品相互作用时产生的物理信号	第53-55页
·衬底原理及其应用	第55-58页
·电应力对 p 型 Ni/Au 表面形貌的影响	第58-59页
·GaN 基 LED 光学特性的研究	第59-65页
·GaN 基 LED 的发光结构机制分析	第59-61页
·GaN 基 LED 的 EL 光谱研究	第61-65页
·本章小节	第65-66页
第五章 结论	第66-70页
·本文的主要贡献	第66-68页
·后续工作展望	第68-70页
致谢	第70-72页
参考文献	第72-77页
攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目	第77-78页