| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 引言 | 第11页 |
| ·纳米技术和纳米材料的概述 | 第11-13页 |
| ·纳米技术和纳米材料的基本概念 | 第11-12页 |
| ·纳米材料的特性与应用 | 第12-13页 |
| ·一维ZnO 纳米棒(线)的概述 | 第13-19页 |
| ·ZnO 材料的结构与特性 | 第13-14页 |
| ·一维ZnO 纳米棒(线)的特性与应用 | 第14-16页 |
| ·一维ZnO 纳米棒(线)的生长机制 | 第16-17页 |
| ·一维ZnO 纳米棒(线)的研究进展 | 第17-19页 |
| ·ZAO 纳米导电薄膜 | 第19-22页 |
| ·ZAO 纳米导电薄膜的特性与应用 | 第19-20页 |
| ·ZAO 薄膜的导电机制 | 第20-21页 |
| ·ZAO 导电膜的研究进展 | 第21-22页 |
| ·本课题研究目的及意义 | 第22-24页 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 | 第24-31页 |
| ·试验所用原料与设备 | 第24-25页 |
| ·试验原料 | 第24-25页 |
| ·试验设备 | 第25页 |
| ·薄膜制备技术 | 第25-27页 |
| ·射频磁控溅射法 | 第25页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第25-26页 |
| ·化学气相沉积法 | 第26页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第26-27页 |
| ·水热合成法 | 第27页 |
| ·形貌表征及结构与性能测试 | 第27-31页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第28页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| ·原子力显微镜 | 第29页 |
| ·光致发光PL 谱 | 第29-30页 |
| ·四探针法测试电阻率 | 第30-31页 |
| 第三章 ZnO 纳米棒(线)薄膜的制备与性能表征 | 第31-49页 |
| ·ZnO 种子层薄膜的制备与表征 | 第31-37页 |
| ·ZnO 薄膜的制备工艺过程 | 第31-32页 |
| ·种子层溶液浓度对ZnO 薄膜取向性的影响 | 第32-33页 |
| ·旋涂工艺对ZnO 薄膜取向性的影响 | 第33-34页 |
| ·热处理工艺对ZnO 薄膜取向性的影响 | 第34-37页 |
| ·ZnO 纳米棒的制备与表征 | 第37-46页 |
| ·ZnO 纳米棒的制备工艺过程 | 第37-38页 |
| ·生长液浓度对ZnO 纳米棒(线)薄膜形貌的影响 | 第38-39页 |
| ·醋酸对ZnO 纳米棒(线)薄膜形貌的影响 | 第39-40页 |
| ·聚乙烯亚胺对ZnO 纳米棒(线)薄膜形貌的影响 | 第40-44页 |
| ·生长时间对ZnO 纳米棒(线)薄膜形貌的影响 | 第44-46页 |
| ·PEI 对ZnO 纳米棒发光性能的影响 | 第46-47页 |
| ·热处理工艺对ZnO 纳米棒(线)薄膜发光性能的影响 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第四章 ZAO 薄膜的制备与性能表征 | 第49-58页 |
| ·ZAO 薄膜的制备 | 第49-50页 |
| ·Al~(3+)掺杂浓度对ZAO 薄膜结构与性能的影响 | 第50-52页 |
| ·Al~(3+)掺杂浓度对ZAO 薄膜取向的影响 | 第50-51页 |
| ·Al~(3+)掺杂浓度对ZAO 薄膜电阻率的影响 | 第51-52页 |
| ·热处理温度对ZAO 薄膜结构与性能的影响 | 第52-54页 |
| ·热处理温度对ZAO 薄膜取向的影响 | 第52-53页 |
| ·热处理温度对ZAO 薄膜电阻率的影响 | 第53-54页 |
| ·薄膜厚度(镀膜层数)对ZAO 薄膜结构与性能的影响 | 第54-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士学位论文期间取得的成果 | 第67页 |
