| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-47页 |
| ·磁输运现象 | 第13-16页 |
| ·微纳磁输运体系 | 第16-20页 |
| ·“Top down”制备的微纳磁电阻体系 | 第16-18页 |
| ·“Bottom up”制备的微纳分子隧道结体系 | 第18-20页 |
| ·“Top down”微纳体系中的电磁输运 | 第20-26页 |
| ·特殊的I-V 特性 | 第20-23页 |
| ·输运性质的尺寸效应 | 第23-26页 |
| ·“Bottom up”微纳体系中的电磁输运 | 第26-40页 |
| ·良好导电性 | 第27-28页 |
| ·负微分电阻效应 | 第28-34页 |
| ·一维磁性分子链的半金属性 | 第34-36页 |
| ·一维磁性分子链高自旋过滤效应 | 第36-40页 |
| ·本文工作 | 第40-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 第二章 负微分电阻效应 | 第47-69页 |
| ·锰氧化物材料的负微分电阻效应 | 第47-50页 |
| ·无规熔丝网络模型 | 第50-55页 |
| ·强无序性 | 第52-53页 |
| ·局域的焦耳热效应 | 第53-55页 |
| ·熔丝网络的模拟算法 | 第55-60页 |
| ·强无序度的算法处理 | 第55-60页 |
| ·熔断过程模拟 | 第60页 |
| ·计算结果及其分析 | 第60-65页 |
| ·不同无序度的熔丝网络的熔断特征 | 第61-63页 |
| ·强无序熔丝网络中多步负微分电阻效应 | 第63-64页 |
| ·网络尺寸对多步负微分电阻效应的影响 | 第64-65页 |
| ·总结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第三章 输运通道的微结构与磁输运涨落 | 第69-88页 |
| ·磁电阻材料的输运通道微结构 | 第69-72页 |
| ·磁电阻的输运通道模型 | 第72-76页 |
| ·并联电阻模型 | 第72-73页 |
| ·串联电阻模型 | 第73-75页 |
| ·无规电阻网络模型 | 第75-76页 |
| ·分形结构的磁输运网络 | 第76-79页 |
| ·直接计算电流确认backbone 的算法 | 第76-77页 |
| ·几种分形结构磁输运行为的检测 | 第77-79页 |
| ·计算结果及其分析 | 第79-84页 |
| ·较大尺寸网络的磁电阻效应 | 第79-81页 |
| ·小尺寸网络的磁电阻效应 | 第81-84页 |
| ·总结 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-88页 |
| 第四章 一维磁性分子链(CpFeCpV)_n 的自旋过滤效应 | 第88-107页 |
| ·分子器件中电子输运基本过程 | 第88-90页 |
| ·理论方法和基本模型 | 第90-97页 |
| ·非平衡格林函数法 | 第90-94页 |
| ·分子器件中自旋输运的双通道模型 | 第94-97页 |
| ·一维磁性分子链(CpFeCpV)_n 的计算模型 | 第97-98页 |
| ·计算结果及其分析 | 第98-103页 |
| ·末端基团元素种类对自旋过滤效应的影响 | 第98-101页 |
| ·末端基团吸附位置对自旋过滤效应的影响 | 第101-103页 |
| ·总结 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-107页 |
| 第五章 总结 | 第107-109页 |
| 创新性说明 | 第109-111页 |
| 在学期间的研究成果 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 详细摘要 | 第114-122页 |