高功率GaAs光电导开关设计技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·光导开关简介 | 第7-13页 |
| ·光导开关结构 | 第7-8页 |
| ·光电导开关发展史 | 第8-9页 |
| ·光电导开关研究现状 | 第9-12页 |
| ·存在的问题 | 第12-13页 |
| ·研究意义 | 第13-14页 |
| ·论文主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 光电导开关理论计算 | 第15-25页 |
| ·线性模式下载流子寿命与激光脉宽关系研究 | 第15-19页 |
| ·非线性模式场强阈值与载流子浓度关系 | 第19-25页 |
| 第三章 GaAs材料 | 第25-34页 |
| ·光导开关材料对比 | 第25页 |
| ·GaAs材料补偿机制 | 第25-28页 |
| ·负微分迁移率 | 第28-30页 |
| ·电压控制型负微分迁移率(VCNR) | 第29-30页 |
| ·电流控制型负微分迁移率(CCNR) | 第30页 |
| ·碰撞电离率 | 第30-31页 |
| ·GaAs材料热学特性 | 第31-32页 |
| ·GaAs光导开关损伤机理 | 第32-34页 |
| 第四章 光导开关的设计与分析 | 第34-53页 |
| ·芯片选材 | 第34页 |
| ·器件外形 | 第34-38页 |
| ·电极尺寸 | 第35-37页 |
| ·结构 | 第37-38页 |
| ·绝缘保护耐压模拟 | 第38-41页 |
| ·Silvaco仿真与开关数值模型 | 第41-46页 |
| ·软件简介 | 第41页 |
| ·模型网格 | 第41-42页 |
| ·光导开关数值模型 | 第42-46页 |
| ·光导开关耐压性能模拟 | 第46-47页 |
| ·电极区掺杂对器件性能的影响 | 第47-53页 |
| ·低电场下反偏重掺杂结势垒的作用 | 第48-50页 |
| ·强电场下正偏结计算结果 | 第50-53页 |
| 第五章 光电导开关测试和实验研究 | 第53-71页 |
| ·欧姆接触测试研究 | 第53-56页 |
| ·比接触电阻率测试 | 第54-55页 |
| ·静态伏安特性测试 | 第55-56页 |
| ·绝缘层防击穿效果研究 | 第56-58页 |
| ·实验条件和现象观察 | 第56-57页 |
| ·结果与分析 | 第57-58页 |
| ·共面及异面结构光导开关耐压性能对比 | 第58-60页 |
| ·GaAs光导开关暗态击穿与温度的关系 | 第60-65页 |
| ·实验现象与数据 | 第61页 |
| ·击穿机理 | 第61-62页 |
| ·仿真结果 | 第62-63页 |
| ·结果分析 | 第63-65页 |
| ·激光触发实验 | 第65-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| ·总结 | 第71页 |
| ·工作创新点 | 第71-72页 |
| ·工作展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 附录 研究生在校期间发表学术论文情况 | 第78页 |
