单片机系统X射线剂量增强效应研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| ·概述 | 第7页 |
| ·国内外研究现状 | 第7-8页 |
| ·研究意义 | 第8-9页 |
| ·本文的主要工作 | 第9-10页 |
| 第二章 X射线剂量增强效应机理 | 第10-31页 |
| ·X射线和γ射线与物质相互作用机制 | 第10-22页 |
| ·光电效应 | 第12-16页 |
| ·康普顿效应 | 第16-19页 |
| ·电子对效应 | 第19-20页 |
| ·γ射线的吸收规律 | 第20-22页 |
| ·电离辐射总剂量效应 | 第22-23页 |
| ·剂量增强效应 | 第23-28页 |
| ·剂量增强效应的产生 | 第23-25页 |
| ·界面的剂量增强 | 第25-26页 |
| ·材料的剂量增强 | 第26-27页 |
| ·器件的剂量增强 | 第27页 |
| ·集成电路的剂量增强 | 第27-28页 |
| ·吸收剂量测量 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-31页 |
| 第三章 实验原理与实验方案 | 第31-39页 |
| ·单片机系统的剂量增强效应 | 第31-36页 |
| ·相对剂量增强系数 | 第33页 |
| ·辐照样品 | 第33-34页 |
| ·退火效应 | 第34页 |
| ·单片机系统总剂量辐射损伤的表征参数 | 第34-36页 |
| ·实验方法 | 第36-37页 |
| ·实验样品制备 | 第37-39页 |
| 第四章 单片机系统剂量增强效应的实验研究 | 第39-61页 |
| ·X射线辐照实验 | 第39-48页 |
| ·X射线系统电路辐照实验 | 第39-42页 |
| ·X射线单元电路辐照实验 | 第42-47页 |
| ·X射线辐照结果分析 | 第47-48页 |
| ·样品退火 | 第48-49页 |
| ·γ射线辐照实验 | 第49-55页 |
| ·γ射线系统电路辐照实验 | 第50-51页 |
| ·γ射线CPU单元电路辐照 | 第51-52页 |
| ·γ射线PSD单元电路辐照 | 第52-53页 |
| ·γ射线存储器单元电路辐照 | 第53-54页 |
| ·γ射线辐照结果分析 | 第54-55页 |
| ·数据处理及其结果讨论 | 第55-61页 |
| ·剂量修正及修正后的剂量增强结果 | 第55-58页 |
| ·失效判据的不同选取及其结果 | 第58-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-65页 |
| ·系统剂量增强效应研究 | 第61-63页 |
| ·研究结论 | 第63-64页 |
| ·展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 附录A 研究生在校期间发表学术论文情况 | 第69页 |
