| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·课题背景 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状及发展趋势 | 第11-15页 |
| ·钝化技术研究现状 | 第11-14页 |
| ·电子器件可靠性研究现状 | 第14-15页 |
| ·本课题研究的目的和意义 | 第15-16页 |
| ·本课题主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 SIPOS 钝化功率晶体管结构与制备工艺 | 第18-31页 |
| ·SIPOS 钝化功率晶体管结构 | 第18-22页 |
| ·SIPOS 钝化功率晶体管管芯纵向结构 | 第18-20页 |
| ·SIPOS 钝化功率晶体管管芯横向结构 | 第20-22页 |
| ·SIPOS 钝化功率晶体管制备工艺 | 第22-27页 |
| ·SIPOS 钝化层的制备及性能 | 第27-30页 |
| ·SIPOS 薄膜制备工艺 | 第27-28页 |
| ·SIPOS 钝化机理 | 第28-29页 |
| ·SIPOS 钝化层性能 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 SIPOS 钝化功率晶体管电参数与反向击穿电压测试 | 第31-43页 |
| ·SIPOS 钝化功率晶体管电参数要求 | 第31-32页 |
| ·常见的双极型晶体管反向击穿 | 第32-37页 |
| ·常见击穿现象 | 第32-34页 |
| ·雪崩击穿条件 | 第34-35页 |
| ·常见影响击穿特性的因素 | 第35-37页 |
| ·SIPOS 钝化功率晶体管反向击穿电压测试 | 第37-41页 |
| ·反向击穿电压测试原理 | 第38-39页 |
| ·反向击穿电压测试方法 | 第39-40页 |
| ·管芯反向击穿电压测试 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 “双线击穿”失效测试分析 | 第43-54页 |
| ·失效分析流程 | 第43-45页 |
| ·失效分析实验 | 第45-52页 |
| ·管芯外观和击穿观测实验 | 第45-46页 |
| ·半破坏性样片制备 | 第46-50页 |
| ·样片反向击穿电压测试 | 第50-52页 |
| ·测试结果分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 “双线击穿”曲线现象原因分析 | 第54-67页 |
| ·失效问题点测试 | 第54-60页 |
| ·“双线击穿”样片SIPOS 层元素能谱分析 | 第54-55页 |
| ·良好击穿曲线样片SIPOS 层元素能谱分析 | 第55-56页 |
| ·测试数据对比 | 第56-60页 |
| ·失效原因分析 | 第60-64页 |
| ·氧含量对SIPOS 层性能影响 | 第60-61页 |
| ·工艺中引起氧含量超标的主要原因 | 第61-62页 |
| ·“双线击穿”失效机理 | 第62-63页 |
| ·出现“双线击穿”现象的原因 | 第63-64页 |
| ·“双线击穿”现象解决与预防 | 第64-65页 |
| ·预防“双线击穿”早期失效的方法 | 第64-65页 |
| ·出现“双线击穿”现象的补救方法 | 第65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |