| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一部分 | 第9-45页 |
| 第一章 前言 | 第9-29页 |
| ·石墨烯材料 | 第9-12页 |
| ·石墨烯的能带结构 | 第10页 |
| ·石墨烯纳米带 | 第10-12页 |
| ·STM基础理论 | 第12-20页 |
| ·量子隧穿 | 第12-15页 |
| ·扫描隧道显微镜工作原理 | 第15-16页 |
| ·扫描隧道谱的基本原理 | 第16-19页 |
| ·低温STM介绍 | 第19-20页 |
| ·Omicron-STM仪器介绍 | 第20-23页 |
| ·干净表面的准备 | 第21页 |
| ·STM针尖的制备 | 第21-23页 |
| ·石墨烯纳米带STM研究现状和选题依据 | 第23-26页 |
| 参考文献 | 第26-29页 |
| 第二章 石墨烯纳米带的扫描隧道显微镜研究 | 第29-45页 |
| ·前言 | 第29页 |
| ·样品的制备 | 第29-33页 |
| ·基底准备 | 第31-33页 |
| ·样品制备和处理 | 第33页 |
| ·结果分析 | 第33-39页 |
| ·不同基底上的STM结果 | 第33-35页 |
| ·石墨烯纳米带-展开的碳纳米管 | 第35-37页 |
| ·扫描隧道谱 | 第37-39页 |
| ·氢等离子体刻蚀的石墨烯纳米带的结果分析 | 第39-42页 |
| ·平铺的粗糙边缘 | 第39-41页 |
| ·不同的边缘结构 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第二部分 | 第45-103页 |
| 第三章 Si、SnS_2纳米材料介绍 | 第45-63页 |
| ·纳米与纳米材料简介 | 第45-47页 |
| ·纳米材料的制备方法 | 第46-47页 |
| ·纳米材料的应用 | 第47页 |
| ·直流电弧等离子体制备纳米材料的形成机理分析 | 第47-50页 |
| ·电弧现象的基本概念 | 第47-49页 |
| ·等离子体弧光放电 | 第49-50页 |
| ·水热法 | 第50-51页 |
| ·水热法原理 | 第50页 |
| ·水热合成特点 | 第50-51页 |
| ·水热和溶剂热条件下的结晶原理 | 第51页 |
| ·硅材料简介 | 第51-55页 |
| ·硅纳米材料发光性质介绍 | 第52-55页 |
| ·锡的硫化物简介 | 第55-58页 |
| ·选题依据 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 第四章 等离子体电弧放电法制备—维Si纳米结构 | 第63-83页 |
| ·前言 | 第63页 |
| ·实验装置 | 第63-65页 |
| ·Si/Sn同轴纳米电缆的制备与表征 | 第65-72页 |
| ·样品制备过程 | 第65页 |
| ·样品的表征 | 第65-68页 |
| ·生长机理 | 第68-70页 |
| ·光致发光性质 | 第70-72页 |
| ·镍催化硅纳米线的制备与表征 | 第72-78页 |
| ·样品制备过程 | 第72页 |
| ·样品的表征 | 第72-75页 |
| ·生长机制 | 第75-77页 |
| ·光致发光性质 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 第五章 水热法制备片状SnS_2纳米材料及气敏特性 | 第83-103页 |
| ·引言 | 第83页 |
| ·实验部分 | 第83-84页 |
| ·实验结果和分析讨论 | 第84-101页 |
| ·样品的形貌和成分表征 | 第84-86页 |
| ·一些平行试验的结果 | 第86-90页 |
| ·盐酸的影响 | 第90-91页 |
| ·生长机制 | 第91-95页 |
| ·气敏特性 | 第95-96页 |
| ·其他反应条件的影响 | 第96-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-103页 |
| 第六章 结束语 | 第103-107页 |
| 作者简历 | 第107-109页 |
| 发表论文目录 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111页 |