| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·压电性和压电材料 | 第9页 |
| ·BIT 压电陶瓷 | 第9-11页 |
| ·BIT 的结构 | 第9页 |
| ·BIT 研究现状 | 第9-11页 |
| ·ZnO 压电半导体 | 第11-12页 |
| ·ZnO 晶体结构及研究现状 | 第11-12页 |
| ·ZnO 压电性能的应用 | 第12页 |
| ·压电薄膜的压电性能 | 第12-13页 |
| ·ZnO 纳米带的机电耦合特性 | 第13-15页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第15-17页 |
| 第2章 BDT 铁电薄膜的制备和铁电/压电性能表征 | 第17-33页 |
| ·BDT 铁电薄膜的制备 | 第17-23页 |
| ·实验设备和材料 | 第17-18页 |
| ·薄膜的MOD 法制备 | 第18-21页 |
| ·上电极Au 的制备 | 第21-23页 |
| ·BDT 铁电薄膜微结构与铁电/压电性能的测试 | 第23-26页 |
| ·BDT 铁电薄膜微结构的SEM 表征 | 第23页 |
| ·BDT 铁电薄膜晶体结构的XRD 分析 | 第23页 |
| ·BDT 铁电薄膜的电滞回线 | 第23-25页 |
| ·BDT 铁电薄膜的蝴蝶回线 | 第25-26页 |
| ·退火温度对BDT 薄膜微结构与铁电/压电性能的影响 | 第26-31页 |
| ·退火温度对薄膜晶体结构的影响 | 第26-28页 |
| ·退火温度对薄膜表面形貌的影响 | 第28页 |
| ·退火温度对薄膜剩余极化强度的影响 | 第28-30页 |
| ·退火温度对薄膜压电系数的影响 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第3章 功函数对ZnO 纳米带压电性能的影响 | 第33-45页 |
| ·ZnO 纳米带的制备 | 第33-34页 |
| ·热蒸发法制备ZnO 纳米带 | 第33页 |
| ·ZnO 纳米带的形貌结构 | 第33-34页 |
| ·功函数与ZnO 纳米带压电性能的关系 | 第34-38页 |
| ·ZnO 纳米带压电性能测试原理 | 第34-36页 |
| ·导电探针与ZnO 纳米带功函数 | 第36-37页 |
| ·功函数与ZnO 纳米带压电性能的关系 | 第37-38页 |
| ·不同金属薄膜电极上ZnO 纳米带功函数的测试 | 第38-41页 |
| ·金属薄膜电极制备 | 第38-39页 |
| ·Kelvin 探针测试功函数原理 | 第39-40页 |
| ·不同金属薄膜电极与ZnO 纳米带功函数的测试 | 第40-41页 |
| ·功函数差对ZnO 纳米带有效压电系数测量的影响 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 ZnO 纳米带的机电耦合系数 | 第45-56页 |
| ·ZnO 纳米带的机电转换 | 第45-46页 |
| ·纳米带的机电耦合系数 | 第45页 |
| ·悬臂梁结构下纳米带的机电转换 | 第45-46页 |
| ·简支梁结构下纳米带的机电转换 | 第46页 |
| ·ZnO 纳米带机电耦合系数测量的简支梁模型 | 第46-50页 |
| ·模型的提出 | 第46-47页 |
| ·单个梁弯曲周期中纳米带获得的弹性能 | 第47-49页 |
| ·单个梁弯曲周期中纳米带输出的电能 | 第49-50页 |
| ·简支梁模型下ZnO 纳米带机电耦合系数的测量 | 第50-55页 |
| ·底电极的设计与制备 | 第50-52页 |
| ·ZnO 纳米带简支梁的制备 | 第52页 |
| ·单个梁弯曲周期中纳米带获得的弹性能测量 | 第52-54页 |
| ·单个梁弯曲周期中纳米带输出的电能的测量 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 总结与展望 | 第56-58页 |
| ·总结 | 第56页 |
| ·展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第63页 |