| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 氮化镓材料 | 第10-12页 |
| 1.2 氮化镓内部缺陷及相关国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 论文的主要内容 | 第15-16页 |
| 2 实验及理论研究方法 | 第16-26页 |
| 2.1 金属有机物化学气相沉积生长GaN | 第16-19页 |
| 2.2 分子动力学模拟方法 | 第19-24页 |
| 2.3 过渡态理论及爬坡弹性带方法 | 第24-26页 |
| 3 GaN薄膜开裂的分子动力学模拟及临界厚度分析 | 第26-43页 |
| 3.1 氮化镓材不同晶面的表面能及断裂韧性 | 第26-33页 |
| 3.2 氮化镓小角度晶界的表面能及断裂韧性 | 第33-37页 |
| 3.3 外延过程中氮化镓临界生长厚度和开裂演化模式 | 第37-43页 |
| 4 氮化镓内部位错的形成及演化 | 第43-61页 |
| 4.1 氮化镓α型m面位错的演化 | 第44-48页 |
| 4.2 氮化镓α型m面位错成核及运动的活化能 | 第48-57页 |
| 4.3 氮化镓α型m面位错形核速率 | 第57-61页 |
| 5 实验研究氮化镓薄膜沉积过程中的缺陷和LED性能表征 | 第61-77页 |
| 5.1 图形和非图形蓝宝石衬底上氮化镓位错演化分析 | 第62-67页 |
| 5.2 温度对氮化镓缺陷密度的影响 | 第67-69页 |
| 5.3 氮化镓基LED外延片的生长均匀性 | 第69-77页 |
| 6 总结和展望 | 第77-81页 |
| 6.1 总结 | 第77-79页 |
| 6.2 展望 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-90页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的主要论文 | 第90页 |
