摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第8-15页 |
1.1 引言 | 第8-9页 |
1.2 纳米银焊膏 | 第9-10页 |
1.3 功率半导体器件封装的可靠性 | 第10-13页 |
1.3.1 功率半导体器件封装中的可靠性失效机理 | 第10-11页 |
1.3.2 银的电化学迁移 | 第11-13页 |
1.4 本文的研究意义和主要工作 | 第13-15页 |
1.4.1 本文的研究意义 | 第13页 |
1.4.2 本文的主要工作 | 第13-15页 |
第2章 试验材料、装置及试验方法 | 第15-25页 |
2.1 试验材料 | 第15-19页 |
2.1.1 纳米银焊膏 | 第15页 |
2.1.2 纳米Ag-Pd焊膏 | 第15-16页 |
2.1.3 电化学迁移试验的试样制备 | 第16-19页 |
2.2 电化学迁移试验的测试和表征方法 | 第19-25页 |
2.2.1 电化学迁移试验的测试方法与设备 | 第19-21页 |
2.2.2 电化学迁移试验的表征方法 | 第21-25页 |
第3章 高温干燥环境下烧结Ag-Pd的电化学迁移行为 | 第25-40页 |
3.1 纳米Ag-Pd焊膏的TEM分析 | 第25页 |
3.2 烧结工艺参数选取 | 第25-27页 |
3.3 烧结银和烧结Ag-Pd的显微特征对比 | 第27-28页 |
3.4 电化学迁移行为 | 第28-29页 |
3.4.1 试验设计 | 第28页 |
3.4.2 电极间漏电流演化行为 | 第28-29页 |
3.5 电化学迁移产物分析 | 第29-39页 |
3.5.1 纳米银和纳米Ag-Pd电极的电化学迁移产物对比分析 | 第30-35页 |
3.5.2 不同温度烧结的Ag-Pd电极电化学迁移产物对比分析 | 第35-39页 |
3.6 本章小结 | 第39-40页 |
第4章 Pd微粒对烧结银的高温电化学迁移抑制机理 | 第40-49页 |
4.1 不同烧结温度下纳米Ag-Pd焊膏的物相组成 | 第40-42页 |
4.2 PdO对银的高温电化学迁移的抑制机理 | 第42-46页 |
4.3 Ag-Pd合金化对银的高温电化学迁移的抑制机理 | 第46-47页 |
4.4 本章小结 | 第47-49页 |
第5章 结论与展望 | 第49-51页 |
5.1 结论 | 第49-50页 |
5.2 展望 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-57页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第57-58页 |
致谢 | 第58页 |