| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 主要符号表 | 第18-20页 |
| 1 绪论 | 第20-37页 |
| 1.1 等离子体概述 | 第20-21页 |
| 1.2 等离子体在微电子工业中的应用 | 第21-24页 |
| 1.3 容性耦合等离子体源的发展 | 第24-30页 |
| 1.3.1 单频容性耦合等离子体源 | 第24-25页 |
| 1.3.2 双频容性耦合等离子体源 | 第25-26页 |
| 1.3.3 脉冲调制容性耦合等离子体的研究 | 第26-27页 |
| 1.3.4 电非对称效应的研究 | 第27-29页 |
| 1.3.5 直流叠加射频容性耦合等离子体的研究 | 第29-30页 |
| 1.4 容性耦合等离子体中的放电模式 | 第30-35页 |
| 1.5 本文研究内容与安排 | 第35-37页 |
| 2 实验装置与研究方法 | 第37-50页 |
| 2.1 实验装置 | 第37-38页 |
| 2.2 直流自偏压的产生及测量 | 第38-40页 |
| 2.3 等离子体诊断方法 | 第40-48页 |
| 2.3.1 相分辨发射光谱法测量激发速率 | 第40-44页 |
| 2.3.2 发卡探针测量电子密度 | 第44-48页 |
| 2.4 PIC/MCC模型介绍 | 第48-49页 |
| 2.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 3 单频容性耦合CF_4等离子体中的放电模式 | 第50-67页 |
| 3.1 引言 | 第50页 |
| 3.2 研究方法与参数选择 | 第50-52页 |
| 3.3 氖气激发态(Ne2p_1)有效衰减率的测量 | 第52-54页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第54-66页 |
| 3.4.1 CF_4气体放电中的放电模式 | 第54-56页 |
| 3.4.2 外界参数对放电模式的影响 | 第56-66页 |
| 3.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 4 二次电子对单频容性耦合等离子体放电模式的影响 | 第67-82页 |
| 4.1 引言 | 第67页 |
| 4.2 二次电子对Ne气放电的影响 | 第67-74页 |
| 4.3 二次电子对CF_4气放电的影响 | 第74-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 5 双频容性耦合Ar等离子体中的放电模式 | 第82-98页 |
| 5.1 引言 | 第82页 |
| 5.2 电压的测量与PROES测量中谱线的选择 | 第82-85页 |
| 5.2.1 电压的测量 | 第82-83页 |
| 5.2.2 PROES测量中谱线的选择 | 第83-85页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第85-97页 |
| 5.3.1 Ar等离子体中的放电模式 | 第85-88页 |
| 5.3.2 外界参数对放电模式的影响 | 第88-97页 |
| 5.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 6 结论与展望 | 第98-102页 |
| 6.1 结论 | 第98-100页 |
| 6.2 创新点 | 第100页 |
| 6.3 展望 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-111页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 作者简介 | 第113页 |