大面积MoTe2薄膜的合成和晶相控制研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-30页 |
| 1.1 二维过渡金属硫化物概述 | 第9-12页 |
| 1.2 二维过渡金属硫化物的制备方法 | 第12-16页 |
| 1.3 二维过渡金属硫化物的应用 | 第16-18页 |
| 1.4 二碲化钼概述 | 第18-20页 |
| 1.5 二碲化钼的研究进展 | 第20-30页 |
| 2 实验仪器与表征方法 | 第30-37页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 实验仪器和耗材 | 第30-32页 |
| 2.3 表征方法 | 第32-37页 |
| 3 二碲化钼的制备 | 第37-48页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 实验部分 | 第37-38页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第38-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 4 改进CVD法生长MoTe_2研究 | 第48-54页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 衬底的位置对MoTe_2生长的影响 | 第48-50页 |
| 4.3 碲粉的用量对MoTe_2生长的影响 | 第50-52页 |
| 4.4 重叠放置硅片对MoTe_2生长的影响 | 第52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 5 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 总结 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 攻读硕士期间发表学术成果 | 第63页 |
