| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 SiC功率MOSFET的发展现状及趋势 | 第11-12页 |
| 1.3 SiC功率MOSFET的应用研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 2 SiC功率MOSFET特性与参数分析 | 第16-23页 |
| 2.1 SiC功率MOSFET的基本结构和工作原理 | 第16-17页 |
| 2.2 SiC功率MOSFET的电学特性 | 第17-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 3 SiC功率MOSFET器件的建模 | 第23-41页 |
| 3.1 SiC功率MOSFET模型 | 第23-24页 |
| 3.2 SiC功率MOSFET静态特性建模 | 第24-32页 |
| 3.3 SiC功率MOSFET动态特性建模 | 第32-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 4 SiC功率MOSFET中寄生电容的影响 | 第41-54页 |
| 4.1 SiC功率MOSFET高频串扰问题 | 第41-46页 |
| 4.2 SiC功率MOSFET死区时间内电压畸变问题 | 第46-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 基于SiC功率MOSFET三相逆变器分析 | 第54-68页 |
| 5.1 三相逆变器结构和主要技术参数 | 第54-55页 |
| 5.2 三相逆变器损耗分析 | 第55-60页 |
| 5.3 SiC功率MOSFET与SiIGBT性能对比 | 第60-64页 |
| 5.4 实验结果分析 | 第64-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 6 总结与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 全文工作总结 | 第68-69页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
