| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 课题背景 | 第7-13页 |
| 1.1.1 铜的应用和超大规模集成电路的发展 | 第7-8页 |
| 1.1.2 化学机械抛光技术简介 | 第8-10页 |
| 1.1.3 铜的化学机械抛光液研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2 课题研究的目的与意义 | 第13页 |
| 1.3 课题来源及本文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 1.3.1 课题来源 | 第13页 |
| 1.3.2 主要研究内容 | 第13-15页 |
| 2 铜新型抛光液的研发 | 第15-27页 |
| 2.1 抛光设备与检测设备 | 第15-17页 |
| 2.1.1 抛光设备 | 第15-17页 |
| 2.1.2 检测设备 | 第17页 |
| 2.2 铜新型环保抛光液的研究 | 第17-26页 |
| 2.2.1 氧化剂的选择 | 第18-19页 |
| 2.2.2 磨料的选择 | 第19-20页 |
| 2.2.3 其他添加剂的选择 | 第20-23页 |
| 2.2.4 新型抛光液研发及抛光效果 | 第23-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 抛光液配比和工艺参数的优化 | 第27-40页 |
| 3.1 抛光液配比优化 | 第27-34页 |
| 3.1.1 过氧化氢含量对抛光结果的影响 | 第27-29页 |
| 3.1.2 壳寡糖含量对抛光结果的影响 | 第29-30页 |
| 3.1.3 硅溶胶含量对抛光结果的影响 | 第30-32页 |
| 3.1.4 硅溶胶磨粒粒径和硅溶胶pH对抛光结果的影响 | 第32-34页 |
| 3.2 工艺参数的优化 | 第34-39页 |
| 3.2.1 抛光机主盘转速对抛光结果的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 压力对抛光结果的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.3 不同种类的抛光垫对抛光结果的影响 | 第36-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 铜化学机械抛光机理的研究 | 第40-64页 |
| 4.1 XPS实验 | 第40-45页 |
| 4.1.1 实验原理 | 第40-41页 |
| 4.1.2 实验设备及样品制备 | 第41-42页 |
| 4.1.3 实验结果分析 | 第42-45页 |
| 4.2 红外光谱实验 | 第45-48页 |
| 4.2.1 实验原理 | 第45-46页 |
| 4.2.2 实验设备及样品制备 | 第46页 |
| 4.2.3 实验结果分析 | 第46-48页 |
| 4.3 电化学实验 | 第48-53页 |
| 4.3.1 实验原理 | 第48-50页 |
| 4.3.2 实验设备及样品制备 | 第50-51页 |
| 4.3.3 实验结果分析 | 第51-53页 |
| 4.4 其他机理分析实验 | 第53-61页 |
| 4.4.1 表面张力和接触角实验 | 第53-56页 |
| 4.4.2 抛光液添加剂之间的相互作用 | 第56-59页 |
| 4.4.3 抛光液中磨粒粒径与分布 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |