| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 SAW滤波器 | 第10-13页 |
| 1.2.1 压电材料 | 第10-12页 |
| 1.2.2 SAW滤波器结构与原理 | 第12-13页 |
| 1.2.3 SAW滤波器研究现状 | 第13页 |
| 1.3 薄膜SAW器件 | 第13-16页 |
| 1.3.1 AlN薄膜研究现状 | 第14页 |
| 1.3.2 AlN薄膜SAW器件研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3.3 AlN薄膜SAW器件存在的问题 | 第15-16页 |
| 1.4 研究内容与意义 | 第16-17页 |
| 第二章 SAW滤波器制备工艺及其表征 | 第17-27页 |
| 2.1 SAW滤波器制备流程 | 第17页 |
| 2.2 SAW器件制备工艺及设备 | 第17-21页 |
| 2.2.1 衬底清洗 | 第17-18页 |
| 2.2.2 压电薄膜的制备 | 第18页 |
| 2.2.3 光刻工艺 | 第18-20页 |
| 2.2.4 叉指电极的制备 | 第20-21页 |
| 2.3 薄膜微观结构及性能 | 第21-25页 |
| 2.3.1 膜厚表征 | 第21页 |
| 2.3.2 结晶取向表征 | 第21-22页 |
| 2.3.3 表面形貌及压电特性表征 | 第22-24页 |
| 2.3.4 薄膜组分表征 | 第24-25页 |
| 2.3.5 器件结构表征 | 第25页 |
| 2.4 器件性能测试 | 第25-27页 |
| 第三章 AlN薄膜的制备与优化 | 第27-42页 |
| 3.1 不同衬底对AlN薄膜晶向的影响 | 第27-28页 |
| 3.2 溅射功率对AlN薄膜的影响 | 第28-32页 |
| 3.2.1 生长速率影响 | 第28-29页 |
| 3.2.2 晶向影响 | 第29-30页 |
| 3.2.3 形貌影响 | 第30-31页 |
| 3.2.4 压电性能的影响 | 第31-32页 |
| 3.3 衬底温度对AlN薄膜的影响 | 第32-35页 |
| 3.3.1 晶向影响 | 第33页 |
| 3.3.2 形貌影响 | 第33-34页 |
| 3.3.3 压电性能的影响 | 第34-35页 |
| 3.4 氮氩比AlN薄膜的影响 | 第35-38页 |
| 3.4.1 晶向影响 | 第35-36页 |
| 3.4.2 形貌影响 | 第36-37页 |
| 3.4.3 压电性能的影响 | 第37-38页 |
| 3.5 优化后AlN薄膜性能 | 第38-41页 |
| 3.5.1 薄膜组分表征 | 第39-40页 |
| 3.5.2 薄膜压电特性 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 高频AlN-SAW滤波器的制备及优化 | 第42-60页 |
| 4.1 亚微米级IDT的制备 | 第42-44页 |
| 4.1.1 电子束曝光与邻近效应 | 第42页 |
| 4.1.2 IDT的设计 | 第42-44页 |
| 4.1.3 电子束曝光工艺流程 | 第44页 |
| 4.2 曝光工艺的优化 | 第44-50页 |
| 4.2.1 导电胶对曝光的影响 | 第44-47页 |
| 4.2.2 Lift-off优化 | 第47-50页 |
| 4.3 SAW滤波器的构建与表征 | 第50-53页 |
| 4.3.1 IDT/AlN/Pt/Ti/SiO_2/Si结构构建与表征 | 第50-51页 |
| 4.3.2 IDT/AlN/Diamomd结构构建与表征 | 第51-53页 |
| 4.4 器件性能测试 | 第53-59页 |
| 4.4.1 叉指对数对器件性能的影响 | 第54-56页 |
| 4.4.2 叉指孔径对器件性能的影响 | 第56-58页 |
| 4.4.3 IDT/AlN/Diamond器件特性 | 第58-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
