首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

粒子辐照对GaSb材料结构及光学特性的影响

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-18页
    1.1 引言第9页
    1.2 GaSb材料性质及应用第9-11页
    1.3 GaSb材料辐照效应的研究进展第11-17页
    1.4 选题依据及研究内容第17-18页
第二章 辐照效应及光电性能的表征手段第18-29页
    2.1 粒子辐照效应第18-24页
    2.2 X射线衍射第24-25页
    2.3 光致发光光谱第25-29页
第三章 Te-doped GaSb的辐照特性研究第29-40页
    3.1 Te-doped GaSb的结构及光学特性第29-33页
        3.1.1 样品的选择第29-30页
        3.1.2 Te-doped GaSb的XRD表征分析第30-31页
        3.1.3 Te-doped GaSb的PL表征分析第31-33页
    3.2 电子辐照对Te-doped GaSb材料结构及光学特性的影响第33-39页
        3.2.1 材料的辐照处理第33页
        3.2.2 利用XRD探究电子辐照对Te-doped GaSb材料结构的影响第33-34页
        3.2.3 利用光致发光探究电子辐照对Te-doped GaSb材料光学特性的影响第34-39页
    3.3 本章小结第39-40页
第四章 同质外延和异质外延GaSb薄膜的辐照特性研究第40-55页
    4.1 同质外延GaSb薄膜的辐照特性研究第40-47页
        4.1.1 同质外延GaSb薄膜的性能表征分析第40-42页
        4.1.2 同质外延GaSb薄膜辐照后的性能表征分析第42-47页
    4.2 GaAs衬底异质外延GaSb薄膜的辐照特性第47-53页
        4.2.1 GaAs衬底异质外延GaSb薄膜的性能表征分析第47-50页
        4.2.2 GaAs衬底异质外延GaSb薄膜辐照后的性能表征分析第50-53页
    4.3 本章小结第53-55页
第五章 结论及展望第55-56页
致谢第56-57页
参考文献第57-61页
硕士期间论文发表情况第61页

论文共61页,点击 下载论文
上一篇:半导体激光器输出混沌光的带宽和自相关性的研究
下一篇:强激光经大气热晕效应后辐照硅材料产生温度场数值模拟