| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第16-31页 |
| 1.1 纳米材料简介 | 第16-19页 |
| 1.1.1 纳米科技的产生与发展 | 第16-18页 |
| 1.1.2 纳米材料的定义及分类 | 第18-19页 |
| 1.2 纳米材料的合成与制备方法 | 第19-24页 |
| 1.2.1 化学气相沉积 | 第20-22页 |
| 1.2.2 溶胶-凝胶法 | 第22-23页 |
| 1.2.3 水热法与溶剂热合成法 | 第23-24页 |
| 1.3 基于纳米材料功能器件的应用 | 第24-29页 |
| 1.3.1 纳米场效应晶体管 | 第24-26页 |
| 1.3.2 纳米光电探测器 | 第26页 |
| 1.3.3 纳米太阳能电池 | 第26-28页 |
| 1.3.4 纳米存储器 | 第28-29页 |
| 1.4 本课题研究背景及主要目的 | 第29-31页 |
| 第二章 实验所用设备及相关表征手段 | 第31-38页 |
| 2.1 实验所用设备 | 第31-33页 |
| 2.1.1 纳米材料合成设备 | 第31页 |
| 2.1.2 纳米器件制备所需设备 | 第31-33页 |
| 2.2 纳米材料和纳米器件的表征手段 | 第33-37页 |
| 2.2.1 场发射扫描电子显微镜 | 第33-34页 |
| 2.2.2 场发射透射电子显微镜 | 第34-35页 |
| 2.2.3 X射线衍射 | 第35-36页 |
| 2.2.4 紫外-可见吸收光谱 | 第36-37页 |
| 2.3 纳米器件测试设备 | 第37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 一维氧化铜纳米线的合成及其表征 | 第38-49页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 表面机械研磨处理(SMAT) | 第38-40页 |
| 3.3 氧化铜纳米线的合成 | 第40-41页 |
| 3.4 直接加热法生长氧化铜纳米线的生长机制 | 第41-44页 |
| 3.5 氧化铜纳米线的表征 | 第44-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 基于氧化铜纳米线光电器件的制备及其电学表征 | 第49-62页 |
| 4.1 半导体器件制备工艺 | 第49-52页 |
| 4.1.1 氧化铜纳米线的分散 | 第49-50页 |
| 4.1.2 光刻工艺 | 第50-51页 |
| 4.1.3 制备电极 | 第51-52页 |
| 4.2 基于单根氧化铜纳米线的底栅场效应晶体管 | 第52-54页 |
| 4.3 关于氧化铜p型特性理论研究 | 第54-56页 |
| 4.4 基于氧化铜纳米线的光电探测器 | 第56-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 全文总结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第69页 |