| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体热电效应及其在热电器件中的应用 | 第11-15页 |
| 1.2.1 赛贝克效应（Seebeck effect） | 第11-12页 |
| 1.2.2 帕耳帖效应（Peltier effect） | 第12-13页 |
| 1.2.3 汤姆森效应（Thomson effect） | 第13页 |
| 1.2.4 热电器件的应用 | 第13-15页 |
| 1.3 国内外研究动态 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第17-18页 |
| 第二章 Bi_2Te_3薄膜的制备及测试表征方法 | 第18-36页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 磁控溅射镀膜技术简介 | 第18-21页 |
| 2.3 热处理方法与设备 | 第21页 |
| 2.4 热电参数介绍与Seebeck系数的测定 | 第21-24页 |
| 2.4.1 热电参数 | 第21-23页 |
| 2.4.2 Seebeck系数的测定 | 第23-24页 |
| 2.5 Hall效应介绍与载流子浓度的测定 | 第24-27页 |
| 2.6 半导体材料光学性质 | 第27-36页 |
| 2.6.1 复介电函数的推导 | 第27-29页 |
| 2.6.2 半导体吸收机制对介电函数的贡献 | 第29-34页 |
| 2.6.3 Fourier变换红外光谱仪测试原理 | 第34-36页 |
| 第三章 Bi_2Te_3薄膜的生长 | 第36-45页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 Bi_2Te_3薄膜沉积时间 | 第36-37页 |
| 3.3 Bi_2Te_3薄膜沉积功率 | 第37-39页 |
| 3.4 Bi_2Te_3薄膜沉积时的工作气压 | 第39-41页 |
| 3.5 Bi_2Te_3薄膜沉积时的氩气流量 | 第41-43页 |
| 3.6 小结 | 第43-45页 |
| 第四章 热处理对Bi_2Te_3薄膜性能的影响 | 第45-54页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 Bi_2Te_3薄膜结构与电学参数分析 | 第45-49页 |
| 4.3 热电性能与红外性能分析 | 第49-53页 |
| 4.4 小结 | 第53-54页 |
| 第五章 薄膜成分对Bi_2Te_3薄膜性能影响 | 第54-66页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 自掺杂对Bi_2Te_3薄膜性能影响 | 第54-60页 |
| 5.2.1 掺杂模型计算结果 | 第54-57页 |
| 5.2.2 薄膜结构分析 | 第57-59页 |
| 5.2.3 薄膜热电性能与红外性能分析 | 第59-60页 |
| 5.3 Sn掺杂对Bi_2Te_3薄膜性能影响 | 第60-65页 |
| 5.3.1 掺杂模型计算结果 | 第60-63页 |
| 5.3.2 薄膜结构分析 | 第63-64页 |
| 5.3.3 薄膜热电性能与红外性能分析 | 第64-65页 |
| 5.4 小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 主要结论 | 第66页 |
| 6.2 工作展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73-74页 |
