摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第13-29页 |
1.1 研究背景 | 第13-14页 |
1.2 RO浓缩液污染与处理技术概述 | 第14-19页 |
1.2.1 RO浓缩液水质特点 | 第14-15页 |
1.2.2 国内外使用AOPs处理城市污水厂的RO浓缩液的现状 | 第15-19页 |
1.3 电-Fenton原理与研究进展 | 第19-21页 |
1.4 电-Fenton催化剂研究及应用 | 第21-26页 |
1.4.1 均相金属催化剂 | 第21-23页 |
1.4.2 异相金属催化剂 | 第23-26页 |
1.5 研究目的和意义、研究内容及技术路线 | 第26-29页 |
1.5.1 研究目的和意义 | 第26-27页 |
1.5.2 研究内容 | 第27-28页 |
1.5.3 技术路线 | 第28-29页 |
第二章 试验材料与方法 | 第29-37页 |
2.1 试验材料与试验仪器 | 第29-32页 |
2.1.1 试验装置 | 第29页 |
2.1.2 试验模拟用水 | 第29-30页 |
2.1.3 材料与仪器 | 第30-32页 |
2.2 试验方法 | 第32-34页 |
2.2.1 异相双金属催化剂的制备方法 | 第32-33页 |
2.2.2 异相催化剂制备试验方案 | 第33页 |
2.2.3 电-Fenton产H2O2试验方案 | 第33页 |
2.2.4 异相电-Fenton降解模拟RO浓缩液试验方案 | 第33-34页 |
2.3 试验分析方法 | 第34-37页 |
2.3.1 H_2O_2浓度的测定 | 第34页 |
2.3.2 腐殖酸浓度的测定 | 第34-35页 |
2.3.3 催化剂的表征 | 第35页 |
2.3.4 CE和GCE的计算 | 第35-37页 |
第三章 异相电-Fenton催化剂的制备与表征 | 第37-46页 |
3.1 异相催化剂的制备 | 第37-41页 |
3.1.1 金属离子的选择 | 第37-38页 |
3.1.2 锰铜投加量的选择 | 第38-39页 |
3.1.3 焙烧温度的影响 | 第39-40页 |
3.1.4 焙烧时间的影响 | 第40-41页 |
3.2 催化剂的表征与分析 | 第41-44页 |
3.2.1 XRD结果分析 | 第41-42页 |
3.2.2 BET结果分析 | 第42-43页 |
3.2.3 TEM结果分析 | 第43-44页 |
3.3 本章小结 | 第44-46页 |
第四章 异相电-Fenton体系处理模拟RO浓缩液中腐殖酸 | 第46-61页 |
4.1 电-Fenton体系产H2O2效果分析 | 第46-53页 |
4.1.1 电流密度对电-Fenton体系产H_2O_2的影响 | 第46-47页 |
4.1.2 通氧量对电-Fenton体系产H_2O_2的影响 | 第47-49页 |
4.1.3 pH对电-Fenton体系产H_2O_2的影响 | 第49-50页 |
4.1.4 电解质种类对电-Fenton体系产H2O2的影响 | 第50-52页 |
4.1.5 电解质浓度对电-Fenton体系产H2O2的影响 | 第52-53页 |
4.2 不同反应体系降解模拟RO浓缩液效果分析 | 第53-54页 |
4.3 异相电-Fenton体系降解模拟RO浓缩液影响因素 | 第54-59页 |
4.3.1 pH对异相电-Fenton体系降解模拟RO浓缩液的影响 | 第54-56页 |
4.3.2 M4投加量对异相电-Fenton体降解模拟RO浓缩液的影响 | 第56-57页 |
4.3.3 含盐量对异相电-Fenton体系降解模拟RO浓缩液的影响 | 第57-58页 |
4.3.4 污染物浓度对异相电-Fenton体系降解模拟RO浓缩液的影响 | 第58-59页 |
4.4 本章小结 | 第59-61页 |
第五章 异相电-Fenton体系反应机理分析 | 第61-69页 |
5.1 降解机制研究 | 第61-62页 |
5.2 异相电-Fenton体系反应动力学 | 第62-64页 |
5.3 Mn-Cu/MCM-41-Al体系氧化有机物机制分析 | 第64-66页 |
5.3.1 铜和锰在Mn-Cu/MCM-41-Al体系氧化有机物过程中的作用 | 第64-65页 |
5.3.2 铝在Mn-Cu/MCM-41-Al体系氧化有机物过程中的作用 | 第65-66页 |
5.4 异相催化剂稳定性 | 第66-67页 |
5.5 本章小结 | 第67-69页 |
第六章 结论与展望 | 第69-71页 |
6.1 结论 | 第69-70页 |
6.2 展望 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-80页 |
在校研究成果 | 第80-81页 |
致谢 | 第81页 |