| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第11-39页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 半导体纳米晶 | 第11-12页 |
| 1.2.1 量子尺寸效应 | 第11-12页 |
| 1.2.2 表面效应 | 第12页 |
| 1.3 InP纳米晶的研究进展 | 第12-27页 |
| 1.3.1 InP纳米晶的合成 | 第13-15页 |
| 1.3.2 合成InP纳米晶的磷源 | 第15-20页 |
| 1.3.3 InP纳米晶的核壳结构 | 第20-23页 |
| 1.3.4 InP纳米晶的掺杂 | 第23-27页 |
| 1.4 InP纳米晶的应用 | 第27-28页 |
| 1.5 本文立题思想 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-39页 |
| 第二章 InP纳米晶的可控制备 | 第39-52页 |
| 2.1 引言 | 第39页 |
| 2.2 实验部分 | 第39-41页 |
| 2.2.1 实验用品及仪器 | 第39-40页 |
| 2.2.2 InP纳米晶的合成 | 第40-41页 |
| 2.2.3 InP纳米晶的纯化 | 第41页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第41-49页 |
| 2.3.1 OLA对InP纳米晶合成的影响 | 第41-42页 |
| 2.3.2 ZnCl_2对InP纳米晶合成的影响 | 第42-44页 |
| 2.3.3 不同In/P比对InP合成的影响 | 第44-45页 |
| 2.3.4 温度对InP合成的影响 | 第45-47页 |
| 2.3.5 InP的XRD、TEM表征 | 第47-49页 |
| 2.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第三章 Ag:InP/ZnS纳米晶的可控制备 | 第52-66页 |
| 3.1 引言 | 第52页 |
| 3.2 实验部分 | 第52-54页 |
| 3.2.1 实验用品及仪器 | 第52-53页 |
| 3.2.2 InP纳米晶的合成 | 第53-54页 |
| 3.2.3 Ag:InP/ZnS纳米晶的制备 | 第54页 |
| 3.2.4 Ag:InP/ZnS纳米晶的纯化 | 第54页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第54-64页 |
| 3.3.1 Ag:InP/ZnS的发光机理 | 第54-55页 |
| 3.3.2 Ag:InP纳米晶的合成 | 第55-57页 |
| 3.3.3 Ag的掺杂浓度对Ag:InP纳米晶荧光强度的影响 | 第57-59页 |
| 3.3.4 Ag的掺杂温度对Ag:InP纳米晶荧光强度的影响 | 第59-61页 |
| 3.3.5 ZnS核壳包覆对Ag:InP纳米晶荧光强度的影响 | 第61-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 作者简历 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
