| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 引言 | 第9-17页 |
| 1.1.1 无线通信系统的发展射频对射频器件的要求 | 第9-12页 |
| 1.1.2 FBAR技术与传统滤波器技术的对比 | 第12-15页 |
| 1.1.3 FBAR技术的发展 | 第15-17页 |
| 1.2 FBAR的基本结构与主流工艺 | 第17-19页 |
| 1.2.1 FBAR经典结构 | 第17-19页 |
| 1.2.2 体硅刻蚀型FBAR | 第19页 |
| 1.2.3 空腔型FBAR | 第19页 |
| 1.2.4 固态装配型FBAR | 第19页 |
| 1.3 FBAR滤波器的国内外研究现状 | 第19-24页 |
| 1.4 本论文的研究意义与章节安排 | 第24-26页 |
| 第二章 FBAR滤波器的仿真设计 | 第26-42页 |
| 2.1 FBAR谐振单元的电学阻抗特性 | 第26-28页 |
| 2.2 FBAR滤波器的模型及仿真研究方法 | 第28-31页 |
| 2.2.1 FBAR滤波器的拓扑结构 | 第28-30页 |
| 2.2.2 电极-AlN-电极结构的仿真设计方法 | 第30-31页 |
| 2.3 基于ADS的FBAR滤波器的仿真设计 | 第31-37页 |
| 2.3.1 FBAR的仿真电路模型建立 | 第31-33页 |
| 2.3.2 仿真结果分析与参数优化 | 第33-36页 |
| 2.3.3 加入耦合阻抗对器件性能的影响 | 第36-37页 |
| 2.4 基于COMSOL的FBAR器件的仿真 | 第37-41页 |
| 2.4.1 FBAR模型定义 | 第37-38页 |
| 2.4.2 网格划分与边界条件设定 | 第38页 |
| 2.4.3 电场分布与耦合特性分析 | 第38-40页 |
| 2.4.4 特征频率分析 | 第40页 |
| 2.4.5 功率容量分析 | 第40-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 FBAR制备工艺研究 | 第42-61页 |
| 3.1 基于单晶AlN薄膜的FBAR制备工艺 | 第42-49页 |
| 3.1.1 结构与制备工艺 | 第42-46页 |
| 3.1.2 关键工艺与风险评估 | 第46-49页 |
| 3.2 控制AlN薄膜的应力研究 | 第49-51页 |
| 3.2.1 控制薄膜应力的意义及方案 | 第49-50页 |
| 3.2.2 沉积不同材料对薄膜应力的影响 | 第50-51页 |
| 3.3 金锡键合与剥离工艺转移AlN | 第51-55页 |
| 3.4 干法刻蚀AlN通孔引出底电极工艺 | 第55-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 FBAR器件实现与测试 | 第61-69页 |
| 4.1 FBAR器件结构版图设计 | 第61-63页 |
| 4.1.1 FBAR器件结构设计 | 第61-62页 |
| 4.1.2 光刻掩膜版设计 | 第62-63页 |
| 4.2 FBAR器件电学性能测试 | 第63-67页 |
| 4.2.1 薄膜阻抗与介电性能 | 第63-65页 |
| 4.2.2 裸芯片的传输特性 | 第65-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 论文的主要内容 | 第69-70页 |
| 5.2 论文的不足之处 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 附录 | 第81页 |