摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-27页 |
1.1 Cu互连技术概述 | 第10-14页 |
1.1.1 Cu互连技术的发展历史 | 第10-12页 |
1.1.2 Cu互连线路的特点 | 第12-13页 |
1.1.3 Cu互连技术存在的主要问题 | 第13-14页 |
1.2 扩散阻挡层研究概况 | 第14-22页 |
1.2.1 扩散阻挡层的性能要求 | 第14-15页 |
1.2.2 难熔金属元素阻挡层 | 第15-16页 |
1.2.3 难熔金属化合物(合金)阻挡层 | 第16页 |
1.2.4 难熔金属氮化物、碳化物阻挡层 | 第16-17页 |
1.2.5 非晶三元化合物阻挡层 | 第17-18页 |
1.2.6 堆栈结构阻挡层 | 第18页 |
1.2.7 自形成扩散阻挡层 | 第18-19页 |
1.2.8 有机分子纳米层阻挡层 | 第19-20页 |
1.2.9 扩散阻挡层的制备 | 第20-22页 |
1.3 自形成扩散阻挡层铜合金薄膜的研究现状 | 第22-25页 |
1.3.1 各类铜合金薄膜的研究现状 | 第22-24页 |
1.3.2 Cu(C)合金薄膜用作扩散阻挡层的研究现状 | 第24-25页 |
1.4 本论文研究目的及研究内容 | 第25-27页 |
1.4.1 研究目的 | 第25页 |
1.4.2 研究内容 | 第25-26页 |
1.4.3 研究方案 | 第26-27页 |
第2章 实验仪器与实验方法 | 第27-34页 |
2.1 薄膜制备 | 第27-31页 |
2.1.1 薄膜沉积设备 | 第27-28页 |
2.1.2 实验材料 | 第28页 |
2.1.3 实验材料预处理 | 第28-30页 |
2.1.4 薄膜沉积工艺参数 | 第30-31页 |
2.2 样品结构及性能表征 | 第31-34页 |
2.2.1 样品表面粗糙度及膜厚测量 | 第31页 |
2.2.2 薄膜样品晶体结构分析 | 第31-32页 |
2.2.3 样品表面形貌及成分分析 | 第32页 |
2.2.4 薄膜截面形貌及成分分析 | 第32页 |
2.2.5 薄膜高温退火处理 | 第32-33页 |
2.2.6 薄膜电学性能测量 | 第33-34页 |
第3章 辅助离子能量对自形成扩散阻挡层Cu(C)薄膜结构性能的影响 | 第34-45页 |
3.1 引言 | 第34-35页 |
3.2 离子能量对Cu(C)薄膜结构及扩散阻挡性能的影响 | 第35-44页 |
3.2.1 离子能量对Cu(C)薄膜退火前表面粗糙度的影响 | 第35-36页 |
3.2.2 离子能量对沉积Cu(C)薄膜厚度的影响 | 第36-37页 |
3.2.3 离子能量对Cu(C)薄膜退火前后电阻率和相结构的影响 | 第37-39页 |
3.2.4 退火后Cu(C)薄膜截面形貌及成分分析 | 第39-41页 |
3.2.5 退火前后Cu(C)薄膜表面形貌及成分分析 | 第41-44页 |
3.3 本章小结 | 第44-45页 |
第4章 沉积温度对自形成扩散阻挡层Cu(C)薄膜结构性能的影响 | 第45-53页 |
4.1 引言 | 第45页 |
4.2 沉积温度对Cu(C)薄膜结构及扩散阻挡性能的影响 | 第45-52页 |
4.2.1 沉积温度对Cu(C)薄膜退火前后相结构的影响 | 第45-46页 |
4.2.2 沉积温度对Cu(C)薄膜退火前后电学性能的影响 | 第46-48页 |
4.2.3 沉积温度为100℃的Cu(C)薄膜退火后截面形貌及成分分析 | 第48-49页 |
4.2.4 沉积温度对Cu(C)薄膜退火前后表面形貌的影响 | 第49-52页 |
4.3 本章小结 | 第52-53页 |
第5章 离子原子到达比对自形成扩散阻挡层Cu(C)薄膜结构性能的影响 | 第53-63页 |
5.1 引言 | 第53页 |
5.2 离子原子到达比的计算 | 第53-54页 |
5.3 离子原子到达比对Cu(C)薄膜结构及扩散阻挡性能的影响 | 第54-61页 |
5.3.1 离子原子到达比对Cu(C)薄膜退火前后相结构的影响 | 第54-57页 |
5.3.2 离子原子到达比对Cu(C)薄膜退火前后表面形貌的影响 | 第57-60页 |
5.3.3 离子原子到达比对Cu(C)薄膜退火前后电学性能的影响 | 第60-61页 |
5.4 本章小结 | 第61-63页 |
第6章 结论与建议 | 第63-65页 |
6.1 结论 | 第63-64页 |
6.2 建议 | 第64-65页 |
致谢 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-73页 |
个人简历及论文发表情况 | 第73页 |