| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第14-31页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 太阳电池原理 | 第15-16页 |
| 1.3 MoS_2材料特性及应用 | 第16-25页 |
| 1.3.1 MoS_2的结构 | 第17页 |
| 1.3.2 MoS_2的性质 | 第17-19页 |
| 1.3.3 MoS_2的制备 | 第19-24页 |
| 1.3.4 MoS_2的应用 | 第24-25页 |
| 1.4 Si基MoS_2太阳电池的国内外研究现状 | 第25-27页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第27页 |
| 参考文献 | 第27-31页 |
| 第2章 实验设备、原理及技术 | 第31-39页 |
| 2.1 薄膜制备技术及实验装置 | 第31-33页 |
| 2.1.1 CVD法制备MoS_2薄膜 | 第31-32页 |
| 2.1.2 溶胶-凝胶法制备MoS_2薄膜 | 第32页 |
| 2.1.3 蒸镀法制备MoS_(2-x)O_x薄膜 | 第32页 |
| 2.1.4 磁控溅射法制备ITO薄膜及Ag电极 | 第32-33页 |
| 2.2 样品的检测与分析 | 第33-37页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第33-34页 |
| 2.2.2 拉曼散射谱(Raman) | 第34页 |
| 2.2.3 光致发光谱(PL) | 第34-35页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱XPS分析 | 第35页 |
| 2.2.5 原子力显微镜(AFM) | 第35-36页 |
| 2.2.6 紫外-可见透射光谱(UV-Vis) | 第36-37页 |
| 2.3 半导体器件性能检测与分析 | 第37-38页 |
| 2.3.1 半导体器件参数分析仪 | 第37页 |
| 2.3.2 太阳电池器件光谱响应检测技术 | 第37-38页 |
| 2.3.3 电容-电压(C-V)特性曲线分析 | 第38页 |
| 2.3.4 电化学工作站阻抗谱测试 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第3章 CVD法制备二维晶态MoS_2薄膜 | 第39-51页 |
| 3.1 CVD法制备MoS_2纳米片的成核机理和形态演化 | 第39-45页 |
| 3.1.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.1.2 实验 | 第40页 |
| 3.1.3 二维MoS_2的形貌表征 | 第40-42页 |
| 3.1.4 二维MoS_2薄膜的Raman和PL特性分析 | 第42-44页 |
| 3.1.5 二维MoS_2薄膜的成核理论分析 | 第44-45页 |
| 3.2 CVD法制备大面积均匀MoS_2薄膜 | 第45-48页 |
| 3.2.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2.2 大面积二维MoS_2薄膜的表征 | 第46-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第4章 溶胶-凝胶法制备非晶-微晶MoS_2薄膜 | 第51-64页 |
| 4.1 通不同氢气流量条件下制备非晶-微晶MoS_2薄膜 | 第51-57页 |
| 4.1.1 引言 | 第51页 |
| 4.1.2 实验 | 第51-52页 |
| 4.1.3 不同H_2流量条件下制备的MoS_2薄膜的形貌和结构分析 | 第52-54页 |
| 4.1.4 不同H_2流量条件下制备的MoS_2薄膜的化学结构组分分析 | 第54-57页 |
| 4.2 不同退火温度条件下制备非晶-微晶MoS_2薄膜 | 第57-62页 |
| 4.2.1 引言 | 第57页 |
| 4.2.2 实验 | 第57页 |
| 4.2.3 不同退火温度下制备的MoS_2薄膜的形貌和结构分析 | 第57-60页 |
| 4.2.4 不同H_2流量条件下制备的MoS_2薄膜的化学结构组分分析 | 第60-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第5章 Si基MoS_2异质结电池制备及电池结构优化研究 | 第64-82页 |
| 5.1 Si基MoS_2薄膜异质结电池制备及其光伏性能 | 第64-70页 |
| 5.1.1 引言 | 第64-65页 |
| 5.1.2 实验 | 第65页 |
| 5.1.3 溶胶-凝胶法制备MoS_2薄膜的结构和化学组分表征 | 第65-67页 |
| 5.1.4 ITO/p-Si/Ag和ITO/MoS_2/p-Si/Ag异质结太阳电池特性分析 | 第67-70页 |
| 5.2 Si基MoS_2薄膜异质结电池结构优化及其性能改善 | 第70-79页 |
| 5.2.1 引言 | 第70-71页 |
| 5.2.2 电池结构 | 第71页 |
| 5.2.3 半导体、金属、异质结的能带 | 第71-75页 |
| 5.2.4 没有p~+和有p~+的异质结太阳电池的光伏性能分析 | 第75-79页 |
| 5.3 本章小结 | 第79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第6章 薄膜质量对Si基MoS_2异质结电池器件性能的影响 | 第82-93页 |
| 6.1 不同氢气流量条件的MoS_2薄膜对Si基MoS_2电池性能的影响 | 第82-87页 |
| 6.1.1 引言 | 第82页 |
| 6.1.2 不同氢气流量条件的MoS_2薄膜对Si基MoS_2异质结的光电特性影响 | 第82-85页 |
| 6.1.3 不同氢气流量条件的MoS_2薄膜对Si基MoS_2异质结的传输特性影响 | 第85-87页 |
| 6.2 不同退火温度下制备的MoS_2薄膜对Si基MoS_2薄膜电池性能的影响 | 第87-91页 |
| 6.2.1 引言 | 第87页 |
| 6.2.2 不同退火温度条件的MoS_2薄膜对Si基MoS_2异质结光电特性的影响 | 第87-91页 |
| 6.3 本章小结 | 第91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第7章 Si基MoS_(2-x)O_x异质结电池的制备及光电特性研究 | 第93-103页 |
| 7.1 不同氧含量MoS_(2-x)O_x/Si异质结电池制备及光电特性研究 | 第93-99页 |
| 7.1.1 引言 | 第93页 |
| 7.1.2 实验 | 第93-94页 |
| 7.1.3 MoS_(2-x)O_x薄膜结构与光学特性分析 | 第94-96页 |
| 7.1.4 ITO/MoS_(2-x)O_x/n-Si/n~+-Si/Ag太阳电池的光电特性分析 | 第96-98页 |
| 7.1.5 ITO/MoS_(2-x)O_x/n-Si/n~+-Si/Ag太阳电池的载流子输运特性分析 | 第98-99页 |
| 7.2 MoS_(2-x)O_x薄膜/MoOx/Si异质结电池制备及光电特性研究 | 第99-102页 |
| 7.2.1 引言 | 第99-100页 |
| 7.2.2 ITO/MoS_(2-x)O_x/MoOx/n-Si/n~+-Si/Ag太阳电池的光电特性分析 | 第100-102页 |
| 7.3 本章小结 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-103页 |
| 第8章 总结和展望 | 第103-106页 |
| 8.1 工作总结 | 第103-104页 |
| 8.2 未来展望 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 攻读博士学位期间所取得的科研成果 | 第107页 |
