真空定向凝固去除硅中挥发性杂质及其应用研究
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 立题背景 | 第12-14页 |
| 1.2 物理冶金法生产多晶硅 | 第14-21页 |
| 1.2.1 物理冶金法生产多晶硅工艺 | 第14-20页 |
| 1.2.2 物理冶金法生产多晶硅产业现状 | 第20-21页 |
| 1.3 多晶硅中挥发性杂质及影响 | 第21-22页 |
| 1.4 多晶硅铸锭炉提纯多晶硅 | 第22-28页 |
| 1.4.1 多晶硅铸锭炉发展现状 | 第22-23页 |
| 1.4.2 铸锭炉提纯多晶硅原理 | 第23-28页 |
| 1.5 本论文研究内容及意义 | 第28-30页 |
| 1.5.1 本论文研究的内容 | 第28-29页 |
| 1.5.2 本论文研究的意义 | 第29页 |
| 1.5.3 本论文研究的创新点 | 第29-30页 |
| 第二章 真空定向凝固提纯硅过程挥发性杂质去除模型 | 第30-38页 |
| 2.1 挥发性杂质的传质过程 | 第31页 |
| 2.2 挥发性杂质在固-液界面分凝 | 第31-32页 |
| 2.3 挥发性杂质在液相中传质 | 第32-33页 |
| 2.4 挥发性杂质在熔体表面挥发 | 第33-36页 |
| 2.5 挥发性杂质径向分布的数学模型 | 第36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 真空定向凝固提纯多晶硅的实验研究 | 第38-50页 |
| 3.1 实验研究 | 第38-40页 |
| 3.1.1 实验原料 | 第38页 |
| 3.1.2 实验装置 | 第38-39页 |
| 3.1.3 实验步骤 | 第39-40页 |
| 3.1.4 实验样品检测 | 第40页 |
| 3.2 真空定向凝固法精炼硅中杂质分布研究 | 第40-45页 |
| 3.2.1 硅中杂质磷的分布情况 | 第41-42页 |
| 3.2.2 硅中杂质钙的分布情况 | 第42-43页 |
| 3.2.3 硅中杂质铝的分布情况 | 第43-44页 |
| 3.2.4 硅中过渡金属杂质的分布情况 | 第44-45页 |
| 3.3 各因素影响挥发性杂质的分凝效果研究 | 第45-49页 |
| 3.3.1 熔炼温度影响 | 第45-46页 |
| 3.3.2 固-液边界层厚度影响 | 第46-47页 |
| 3.3.3 凝固速率影响 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 多晶硅铸锭炉提纯工艺改进 | 第50-60页 |
| 4.1 下拉凝固速率选择 | 第50-51页 |
| 4.2 杂质去除最优工艺控制曲线 | 第51-54页 |
| 4.2.1 不同硅锭高度下有效分凝系数 | 第51-53页 |
| 4.2.2 杂质去除最优速率曲线 | 第53-54页 |
| 4.3 隔热板下拉工艺优化曲线 | 第54-56页 |
| 4.3.1 提纯工艺优化曲线 | 第55页 |
| 4.3.2 提纯兼顾铸锭工艺优化曲线 | 第55-56页 |
| 4.4 成品切割位置计算 | 第56-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 铸锭炉提纯工艺改进实验研究 | 第60-70页 |
| 5.1 实验方案 | 第60-61页 |
| 5.1.1 实验原料 | 第60页 |
| 5.1.2 硅锭取样及检测方法 | 第60-61页 |
| 5.2 实验结果 | 第61-69页 |
| 5.2.1 杂质含量检测结果 | 第61-64页 |
| 5.2.2 少子寿命检测结果 | 第64-67页 |
| 5.2.3 电阻率检测结果 | 第67-69页 |
| 5.3. 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 结论 | 第70-71页 |
| 6.2 展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 附录 | 第80页 |
