| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 电介质材料及其分类 | 第11-15页 |
| 1.2.1 介电性质的基本概念 | 第12-14页 |
| 1.2.2 高介电常数材料的发展现状 | 第14-15页 |
| 1.3 高介电材料CCTO及其性质特性 | 第15-22页 |
| 1.3.1 CCTO国内外研究现状及存在的问题 | 第15-18页 |
| 1.3.2 CCTO薄膜材料的制备技术及其优缺点 | 第18-22页 |
| 1.3.2.1 磁控溅射法 | 第18-19页 |
| 1.3.2.2 脉冲激光沉积法 | 第19-21页 |
| 1.3.2.3 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第21页 |
| 1.3.2.4 高分子辅助沉积法 | 第21-22页 |
| 1.4 降低CCTO介电损耗的方法 | 第22-23页 |
| 1.5 论文选题及研究方案 | 第23-24页 |
| 第二章 高分子辅助沉积法制备CCTO薄膜及结构与性能表征 | 第24-32页 |
| 2.1 高分子辅助沉积法制备CCTO薄膜 | 第24-26页 |
| 2.1.1 高分子前驱液的制备 | 第25-26页 |
| 2.1.2 高分子溶液离子浓度的测定 | 第26页 |
| 2.2 CCTO薄膜的表面形貌与晶体结构的表征 | 第26-30页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第26-28页 |
| 2.2.2 X-Ray衍射分析(XRD) | 第28-30页 |
| 2.3 CCTO薄膜的介电性能 | 第30-31页 |
| 2.4 薄膜基片的预处理 | 第31-32页 |
| 第三章 不同基底上CCTO薄膜生长工艺的探究与介电性能 | 第32-64页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 样品制备与测试 | 第32-37页 |
| 3.2.1 CCTO薄膜的制备工艺 | 第32-37页 |
| 3.2.1.1 CCTO前驱物溶液配备 | 第32-34页 |
| 3.2.1.2 甩胶工艺 | 第34-35页 |
| 3.2.1.3 高温退火烧结条件 | 第35-37页 |
| 3.2.2 测试设备 | 第37页 |
| 3.3 在铜基底上制备CCTO薄膜 | 第37-44页 |
| 3.3.1 基片预处理 | 第38页 |
| 3.3.2 样品的制备与测试 | 第38-43页 |
| 3.3.3 介电性能测试 | 第43-44页 |
| 3.4 在金和铂基底上制备CCTO薄膜 | 第44-48页 |
| 3.4.1 基片预处理 | 第44-45页 |
| 3.4.2 样品的制备与测试 | 第45-46页 |
| 3.4.3 介电性能与分析讨论 | 第46-48页 |
| 3.5 在金属基底上制备薄膜的工艺改良与讨论 | 第48-51页 |
| 3.6 在LaAlO_3单晶基底上制备CCTO薄膜 | 第51-62页 |
| 3.6.1 基片预处理 | 第51-52页 |
| 3.6.2 样品的制备与测试 | 第52-55页 |
| 3.6.3 介电性能测试 | 第55-58页 |
| 3.6.4 在LAO基底上制备薄膜的工艺改良与讨论 | 第58-62页 |
| 3.7 本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 高压高纯氧烧结制备低介电损耗CCTO薄膜 | 第64-75页 |
| 4.1 前言 | 第64页 |
| 4.2 样品制备与结果分析 | 第64-74页 |
| 4.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 锆掺杂对CCTO薄膜的掺杂改性研究 | 第75-83页 |
| 5.1 前言 | 第75页 |
| 5.2 样品制备与测量 | 第75-79页 |
| 5.3 介电性能测试与分析 | 第79-81页 |
| 5.4 本章小结 | 第81-83页 |
| 第六章 总结与研究展望 | 第83-85页 |
| 6.1 全文总结 | 第83-84页 |
| 6.2 研究展望 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第90-91页 |
