| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 第二章 压电陶瓷的建模方法 | 第12-30页 |
| 2.1 压电性能、压电单晶与压电陶瓷的极化 | 第12-13页 |
| 2.2 欧拉角 | 第13-16页 |
| 2.3 研究的点群 | 第16-19页 |
| 2.4 取向概率密度函数(PDFO: Probability Density Function of Orientation) | 第19-20页 |
| 2.5 电畴转向准则 | 第20-22页 |
| 2.6 宏观性能的计算方法 | 第22-23页 |
| 2.7 四方、三方两相共存 | 第23-24页 |
| 2.8 Landau-Devonshire自由能方程（L-D方程） | 第24-25页 |
| 2.9 晶体的应变张量、应力张量与Eshelby模型 | 第25-28页 |
| 2.10 蒙特卡洛算法验证积分 | 第28-30页 |
| 第三章 单相压电陶瓷的性能计算与研究 | 第30-49页 |
| 3.1 电畴转向分区图 | 第30-32页 |
| 3.2 完全极化 | 第32-39页 |
| 3.2.1 极化后电畴与外电场夹角的分布 | 第32-35页 |
| 3.2.2 剩余极化 | 第35-36页 |
| 3.2.3 介电张量 | 第36-37页 |
| 3.2.4 压电张量 | 第37-39页 |
| 3.3 不完全极化 | 第39-47页 |
| 3.3.1 四方相 4mm点群的不完全极化 | 第39-44页 |
| 3.3.2 三方相 3m点群的不完全极化 | 第44-45页 |
| 3.3.3 正交相mm2点群的不完全极化 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 四方、三方两相共存压电陶瓷的性能计算与研究 | 第49-63页 |
| 4.1 电畴转向分区图 | 第49-53页 |
| 4.2 两相共存时的宏观性能 | 第53-59页 |
| 4.2.1 电畴极化方向与外电场的夹角 | 第54-55页 |
| 4.2.2 剩余极化 | 第55-56页 |
| 4.2.3 介电张量和压电张量 | 第56-59页 |
| 4.3 对PZT系统的计算示例（25℃） | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 四方相压电陶瓷应力模型的d33计算与研究 | 第63-70页 |
| 5.1 压电性能d_(33)的应力模型 | 第63页 |
| 5.2 四方相 4mm点群的应变张量和应力张量 | 第63-64页 |
| 5.3 宏观压电性能d_(33)的计算方法 | 第64-67页 |
| 5.4 宏观d_(33)的计算 | 第67-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 附录1 四方 4mm/三方 3m/正交mm2点群中，Type1坐标系向其他Type坐标系旋转的旋转矩阵M_(XS) | 第72-74页 |
| 附录2 四方 4mm/三方 3m/正交mm2点群电畴转向分区图的区域边界 | 第74-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 发表论文情况说明 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
