| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 半导体器件模拟的近况 | 第10-11页 |
| 1.2 器件的计算机模拟分类 | 第11-12页 |
| 1.3 本文的主要工作和创新 | 第12页 |
| 1.4 本文的结构 | 第12-14页 |
| 第二章 半导体器件的交流模拟理论 | 第14-27页 |
| 2.1 基本方程组 | 第14-17页 |
| 2.1.1 载流子浓度 | 第14-15页 |
| 2.1.2 漂移扩散方程组 | 第15-17页 |
| 2.2 交流模拟的理论基础 | 第17-20页 |
| 2.2.1 瞬态激励法 | 第17页 |
| 2.2.2 交流情况内点满足的矩阵 | 第17-20页 |
| 2.3 迁移率模型 | 第20-24页 |
| 2.3.1 Analytic Mobility Model | 第21-22页 |
| 2.3.2 Philips Mobility Model | 第22-24页 |
| 2.4 有限体积法 | 第24-25页 |
| 2.5 相关数学知识 | 第25-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 交流数值分析 | 第27-46页 |
| 3.1 变量的选取和缩放 | 第27-28页 |
| 3.2 交流模拟流程简介 | 第28-30页 |
| 3.3 网格数据结构 | 第30-31页 |
| 3.4 微分算子的有限体积离散 | 第31-33页 |
| 3.4.1 矢量场的散度 | 第32-33页 |
| 3.4.2 矢量场的旋度 | 第33页 |
| 3.5 重要方程的离散 | 第33-37页 |
| 3.5.1 泊松方程的FVM离散 | 第33-34页 |
| 3.5.2 电流密度的离散 | 第34-37页 |
| 3.6 边界处理 | 第37-40页 |
| 3.6.1 Neumann边界 | 第37页 |
| 3.6.2 欧姆接触电极 | 第37-38页 |
| 3.6.3 外接交流信号的边界 | 第38-40页 |
| 3.7 交流模拟的特殊参数选取 | 第40-44页 |
| 3.7.1 电极处的交流电子和空穴浓度 | 第40-43页 |
| 3.7.2 电极处交流电势的取值 | 第43页 |
| 3.7.3 正弦信号的典型幅值 | 第43-44页 |
| 3.8 自动微分技术 | 第44页 |
| 3.9 交流矩阵 | 第44页 |
| 3.10 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 交流仿真结果分析 | 第46-59页 |
| 4.1 器件频率特性简介 | 第46页 |
| 4.2 二极管瞬态模拟 | 第46-50页 |
| 4.3 晶体管的交流特性仿真 | 第50-58页 |
| 4.3.1 晶体管的直流瞬态仿真 | 第51-53页 |
| 4.3.2 晶体管的瞬态特性 | 第53-55页 |
| 4.3.3 晶体管的AC小信号扫描 | 第55-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结束语 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第63-64页 |