摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-29页 |
1.1 引言: 二维过渡金属硫属化物的兴起 | 第11-12页 |
1.2 二硫化钼及其相转变 | 第12-17页 |
1.2.1 二硫化钼的原子结构及特性 | 第12-14页 |
1.2.2 单层二硫化钼不同相的结构及表征 | 第14-17页 |
1.3 二硫化钼的相变方法 | 第17-22页 |
1.3.1 碱金属插层法 | 第17-19页 |
1.3.2 电子束辐射的方法 | 第19页 |
1.3.3 应力诱导法 | 第19-21页 |
1.3.4 其他相变方法 | 第21-22页 |
1.4 二硫化钼相调控的应用前景 | 第22-27页 |
1.4.1 场效应晶体管中的应用 | 第22-23页 |
1.4.2 储能中的应用 | 第23-24页 |
1.4.3 光催化中的应用 | 第24-25页 |
1.4.4 电催化析氢中的应用 | 第25-27页 |
1.5 本文的研究目的和内容安排 | 第27-29页 |
第2章 实验相关的仪器和技术 | 第29-49页 |
2.1 引言 | 第29页 |
2.2 主要表征手段 | 第29-35页 |
2.2.1 拉曼光谱仪 | 第29-30页 |
2.2.2 X射线光电子能谱 | 第30-31页 |
2.2.3 透射电镜 | 第31-32页 |
2.2.4 原子力显微镜 | 第32-33页 |
2.2.5 扫描隧道显微镜 | 第33-35页 |
2.3 本文相关的实验设备及技术 | 第35-40页 |
2.3.1 远程等离子体增强化学气相沉积 | 第35-36页 |
2.3.2 电子束曝光 | 第36-37页 |
2.3.3 反应离子刻蚀 | 第37-38页 |
2.3.4 电子束蒸发 | 第38-39页 |
2.3.5 溶脱技术 | 第39-40页 |
2.4 化学气相沉积法制备样品 | 第40-45页 |
2.4.1 二氧化硅衬底上多晶单层二硫化钼的生长 | 第40-42页 |
2.4.2 蓝宝石衬底上大尺寸单晶二硫化钼的生长 | 第42-43页 |
2.4.3 蓝宝石衬底上晶元尺寸二硫化钼薄膜的外延生长 | 第43-45页 |
2.5 样品的电学测量 | 第45-46页 |
2.6 样品的电催化测量 | 第46-49页 |
第3章 氩等离子体轰击的二硫化钼相变及其电子学应用 | 第49-67页 |
3.1 二维材料的等离子体处理 | 第49-50页 |
3.2 实验构思与参数设计 | 第50-52页 |
3.3 氩等离子体轰击诱导的单层二硫化钼的相变 | 第52-59页 |
3.3.1 氩等离子体轰击诱导二硫化钼相变的光学表征 | 第52-54页 |
3.3.2 相变后的单层二硫化钼结构及电学表征 | 第54-57页 |
3.3.3 氩等离子体诱导相变的机制研究 | 第57-59页 |
3.3.4 诱导相变的稳定性 | 第59页 |
3.4 单层二硫化钼相调控在电子学中的应用 | 第59-64页 |
3.4.1 相的图案化 | 第59-61页 |
3.4.2 相调控在单层二硫化钼场效应晶体管中的应用 | 第61-64页 |
3.5 本章小结 | 第64-67页 |
第4章 混相单层二硫化钼的催化活性 | 第67-81页 |
4.1 背景介绍 | 第67-70页 |
4.1.1 析氢催化反应的机制 | 第67-69页 |
4.1.2 二硫化钼的催化活性 | 第69-70页 |
4.2 混相单层二硫化钼催化性能的局域测量 | 第70-76页 |
4.2.1 析氢催化反应的局域测量系统搭建 | 第70-72页 |
4.2.2 催化析氢反应器件的制备 | 第72-73页 |
4.2.3 混相单层二硫化钼的活性位点研究 | 第73-76页 |
4.3 混相单层二硫化钼析氢反应机制的研究 | 第76-79页 |
4.3.1 扫描隧道显微镜的表征 | 第76-78页 |
4.3.2 密度泛函计算 | 第78-79页 |
4.4 本章小结 | 第79-81页 |
第5章 多相多晶单层二硫化钼催化电极的制备及应用 | 第81-95页 |
5.1 背景: 二硫化钼催化电极的优化方法 | 第81-84页 |
5.2 多晶多相二硫化钼催化电极的设计思路 | 第84-85页 |
5.3 多晶多相二硫化钼催化电极的制备 | 第85-87页 |
5.4 多晶多相单层二硫化钼电极的电催化性能 | 第87-90页 |
5.5 晶圆尺寸多晶多相单层二硫化钼催化电极 | 第90-92页 |
5.6 本章小结 | 第92-95页 |
第6章 总结与展望 | 第95-98页 |
6.1 论文总结 | 第95-97页 |
6.2 展望 | 第97-98页 |
参考文献 | 第98-108页 |
个人简历及发表文章目录 | 第108-110页 |
致谢 | 第110-111页 |