| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第11-32页 |
| 1.1 阻变的研究背景和定义 | 第11-15页 |
| 1.1.1 存储器的发展现状 | 第11-13页 |
| 1.1.2 阻变的发展历史和定义 | 第13-15页 |
| 1.1.3 阻变材料 | 第15页 |
| 1.2 阻变机制 | 第15-16页 |
| 1.3 阻变中导电通道的实验研究 | 第16-27页 |
| 1.3.1 研究导电通道的成像技术 | 第18-24页 |
| 1.3.2 研究导电通道的光谱学技术 | 第24-26页 |
| 1.3.3 研究导电通道的形貌分析技术 | 第26-27页 |
| 1.3.4 其它研究导电通道的技术 | 第27页 |
| 1.4 电致发光原理及其在阻变中的应用 | 第27-29页 |
| 1.5 本论文的研究动机与主要内容 | 第29-32页 |
| 第2章 样品制备及实验方法 | 第32-38页 |
| 2.1 样品制备 | 第32页 |
| 2.2 电学-光学性质的测试 | 第32-38页 |
| 2.2.1 I-V和L-V曲线测量 | 第33-35页 |
| 2.2.2 电致发光光强、成像和光谱的测量 | 第35-38页 |
| 第3章 Pt/NiO/Pt阻变结构中导电通道的动力学行为 | 第38-55页 |
| 3.1 研究背景 | 第38-39页 |
| 3.2 样品制备 | 第39页 |
| 3.3 电学性能 | 第39-40页 |
| 3.4 电致发光光强研究 | 第40-42页 |
| 3.5 导电通道的电致发光成像 | 第42-45页 |
| 3.6 导电通道成分的研究 | 第45-54页 |
| 3.6.1 光谱信号的对比测量 | 第45-47页 |
| 3.6.2 低阻态恒压下的光谱测量 | 第47-49页 |
| 3.6.3 阻变过程中光谱的瞬态测量 | 第49-54页 |
| 3.7 本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 NiO单极阻变中导电通道形成和熔断的区域 | 第55-64页 |
| 4.1 研究背景 | 第55-56页 |
| 4.2 样品制备 | 第56-57页 |
| 4.3 导电通道形成和熔断区域的研究 | 第57-63页 |
| 4.3.1 正、负向电学特性的比较 | 第57-59页 |
| 4.3.2 正、负向电致发光特性的比较 | 第59-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 ITO/TiO_2/ITO/Au阻变结构中导电通道的动力学行为 | 第64-81页 |
| 5.1 样品制备 | 第64-65页 |
| 5.2 电学性质 | 第65-67页 |
| 5.3 阻变过程的电致发光光强和成像 | 第67-72页 |
| 5.3.1 电致发光光强 | 第67-70页 |
| 5.3.2 电致发光成像 | 第70-72页 |
| 5.4 阻变过程导电通道成分的研究 | 第72-77页 |
| 5.4.1 导电通道成分的瞬态测量 | 第72-75页 |
| 5.4.2 不同温度热处理样品导电通道成分的比较 | 第75-77页 |
| 5.5 ITO/TiO_2/NiO(10nm)/Pt结构阻变区域的研究 | 第77-79页 |
| 5.6 本章小结 | 第79-81页 |
| 第6章 ITO/Cu_3N/ITO/Au结构和Pt/ZnO/Pt结构的阻变特性 | 第81-88页 |
| 6.1 研究背景 | 第81-82页 |
| 6.2 样品制备 | 第82-83页 |
| 6.3 ITO/Cu_3N/ITO/Au结构的电学性能 | 第83-85页 |
| 6.4 Pt/ZnO/Pt结构的电学性能和电致发光特性研究 | 第85-87页 |
| 6.4.1 电学性能 | 第85-86页 |
| 6.4.2 电致发光特性 | 第86-87页 |
| 6.5 本章小结 | 第87-88页 |
| 第7章 总结与展望 | 第88-91页 |
| 7.1 工作总结 | 第88-89页 |
| 7.2 研究展望 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-99页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
