| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第13-47页 |
| 1.1 荧光碳点的性质与制备方法 | 第13-23页 |
| 1.1.1 碳点的基本结构 | 第13-14页 |
| 1.1.2 碳点的光学性质 | 第14-16页 |
| 1.1.3 荧光碳点的制备方法 | 第16-20页 |
| 1.1.4 碳点的应用 | 第20-23页 |
| 1.2 手印与潜手印的显现概述 | 第23-36页 |
| 1.2.1 手印的概念及特征 | 第23-25页 |
| 1.2.2 潜手印的传统显现方法概述 | 第25-32页 |
| 1.2.3 纳米发光检测技术显现潜手印概述 | 第32-36页 |
| 1.3 稀土有机配合物性质与制备方法 | 第36-44页 |
| 1.3.1 稀土离子光谱特性 | 第36-37页 |
| 1.3.2 稀土配合物与能量转移原理 | 第37-41页 |
| 1.3.3 稀土高分子发光材料及制备方法 | 第41-42页 |
| 1.3.4 稀土发光材料应用 | 第42-44页 |
| 1.4 选题依据、研究内容及创新点 | 第44-47页 |
| 1.4.1 选题依据和研究内容 | 第44-46页 |
| 1.4.2 主要创新点 | 第46-47页 |
| 2 SiO_2@C-dots粉体材料的制备及其在潜手印显现中的应用 | 第47-67页 |
| 2.1 引言 | 第47-48页 |
| 2.2 实验材料 | 第48-49页 |
| 2.3 实验方法 | 第49-50页 |
| 2.3.1 二氧化硅微球的制备 | 第49页 |
| 2.3.2 水热法原位生长SiO_2@C-dots复合微球 | 第49页 |
| 2.3.3 潜手印样本的制作与显现 | 第49-50页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第50-64页 |
| 2.4.1 SiO_2@C-dots的制备原理 | 第50-51页 |
| 2.4.2 SiO_2@C-dots制备条件的优化 | 第51-53页 |
| 2.4.3 SiO_2@C-dots复合微球成分表征 | 第53-55页 |
| 2.4.4 SiO_2@C-dots复合微球形貌、粒径表征 | 第55-56页 |
| 2.4.5 SiO_2@C-dots复合微球的光致发光特性表征 | 第56-60页 |
| 2.4.6 SiO_2@C-dots复合微球显现潜手印 | 第60-64页 |
| 2.5 本方法的AFIS评价 | 第64-65页 |
| 2.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 3 Eu_xTb_(1-x)(AA)_3Phen粉体材料的制备及其在潜手印显现中的应用 | 第67-87页 |
| 3.1 引言 | 第67-68页 |
| 3.2 实验材料 | 第68-69页 |
| 3.3 实验方法 | 第69-70页 |
| 3.3.1 Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen配合物的制备方法 | 第69页 |
| 3.3.2 Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen配合物的表征方法 | 第69页 |
| 3.3.3 潜手印样本的制作与显现 | 第69-70页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第70-83页 |
| 3.4.1 Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen配合物的制备原理 | 第70页 |
| 3.4.2 合成条件的优化 | 第70-72页 |
| 3.4.3 Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen配合物的元素分析及发光情况 | 第72-73页 |
| 3.4.4 Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen配合物的红外光谱表征 | 第73-74页 |
| 3.4.5 Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen配合物的形貌与粒径表征 | 第74-75页 |
| 3.4.6 Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen配合物的荧光特性表征 | 第75-76页 |
| 3.4.7 Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen配合物的紫外特性表征 | 第76-77页 |
| 3.4.8 Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen配合物的热重表征 | 第77-78页 |
| 3.4.9 Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen配合物显现潜手印 | 第78-83页 |
| 3.5 本方法的AFIS评价 | 第83-85页 |
| 3.6 本章小结 | 第85-87页 |
| 4 TCA/Eu_xTb_(1-x)(AA)_3Phen复合薄膜的制备及其荧光特性 | 第87-99页 |
| 4.1 引言 | 第87-88页 |
| 4.2 实验材料 | 第88页 |
| 4.3 铽、铕双核三元配合物/三醋酸纤维素复合薄膜的制备 | 第88-89页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第89-96页 |
| 4.4.1 TCA/Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen薄膜的热重性质 | 第89页 |
| 4.4.2 TCA/Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen复合薄膜的荧光性质 | 第89-96页 |
| 4.4.3 TCA/Eu0.5Tb0.5(AA)_3Phen薄膜的荧光稳定性 | 第96页 |
| 4.5 本章小结 | 第96-99页 |
| 5 Ce_xLa_(1-x)(SSA)_3Phen粉体材料的制备及其在潜手印显现中的应用 | 第99-117页 |
| 5.1 引言 | 第99页 |
| 5.2 实验材料 | 第99-100页 |
| 5.3 实验方法 | 第100-101页 |
| 5.3.1 Ce_xLa_(1-x) (SSA)_3Phen粉末的制备 | 第100页 |
| 5.3.2 潜手印样本的制作与显现 | 第100-101页 |
| 5.3.3 Ce_xLa_(1-x) (SSA)_3Phen配合物的表征方法 | 第101页 |
| 5.4 结果与讨论 | 第101-113页 |
| 5.4.1 Ce_xLa_(1-x) (SSA)_3Phen配合物的制备原理 | 第101页 |
| 5.4.2 Ce_xLa_(1-x) (SSA)_3Phen合成条件的优化 | 第101-103页 |
| 5.4.3 Ce_xLa_(1-x) (SSA)_3Phen的元素成分表征 | 第103-104页 |
| 5.4.4 Ce_xLa_(1-x) (SSA)_3Phen的形貌表征 | 第104-105页 |
| 5.4.5 Ce_xLa_(1-x) (SSA)_3Phen的荧光性质表征 | 第105-107页 |
| 5.4.6 Ce_xLa_(1-x) (SSA)_3Phen的红外特性表征 | 第107-109页 |
| 5.4.7 Ce_xLa_(1-x) (SSA)_3Phen的紫外特性表征 | 第109页 |
| 5.4.8 Ce_xLa_(1-x) (SSA)_3Phen的热重表征 | 第109-110页 |
| 5.4.9 Ce0.125La0.875(SSA)_3Phen配合物显现潜手印 | 第110-113页 |
| 5.5 本方法的AFIS评价 | 第113-114页 |
| 5.6 本章小结 | 第114-117页 |
| 6 TCA/Ce_xLa_(1-x)(SSA)_3Phen复合薄膜的制备及其荧光特性 | 第117-127页 |
| 6.1 引言 | 第117-118页 |
| 6.2 实验材料 | 第118页 |
| 6.3 铈、镧双核三元配合物/三醋酸纤维素复合薄膜的制备及表征 | 第118-119页 |
| 6.3.1 复合薄膜制备方法 | 第118-119页 |
| 6.3.2 复合薄膜的表征方法 | 第119页 |
| 6.4 结果与讨论 | 第119-125页 |
| 6.4.1 TCA/Ce_xLa_(1-x) (SSA)_3Phen薄膜的红外性质 | 第119-120页 |
| 6.4.2 TCA/Ce_xLa_(1-x) (SSA)_3Phen薄膜的荧光性质 | 第120-123页 |
| 6.4.3 TCA/Eu_xTb_(1-x )(AA)_3Phen薄膜的热重性质 | 第123-124页 |
| 6.4.4 TCA/Ce_(0.2)La_(0.8)(SSA)_3Phen复合薄膜的荧光稳定性 | 第124-125页 |
| 6.5 本章小结 | 第125-127页 |
| 7 结论与展望 | 第127-131页 |
| 7.1 结论 | 第127-129页 |
| 7.2 展望 | 第129-131页 |
| 致谢 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-151页 |
| 附录 | 第151页 |
| A.作者在攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第151页 |
| B.作者在攻读博士学位期间申请的专利目录 | 第151页 |
| C.作者在攻读博士学位期间主持与参加的科研项目 | 第151页 |
