| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 缩略词表 | 第7-14页 |
| 1 绪论 | 第14-29页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第14-17页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构 | 第14-15页 |
| 1.1.2 石墨烯的性质 | 第15-17页 |
| 1.2 图像传感器简介 | 第17-22页 |
| 1.2.1 电荷耦合器件 | 第17-18页 |
| 1.2.2 CCD与CMOS图像传感器技术对比 | 第18-20页 |
| 1.2.3 CCD的国内外研究现状 | 第20-22页 |
| 1.3 石墨烯光电器件的研究现状 | 第22-27页 |
| 1.3.1 石墨烯场效应管 | 第22-24页 |
| 1.3.2 石墨烯/硅肖特基二极管 | 第24-26页 |
| 1.3.3 石墨烯图像传感器 | 第26-27页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第27-29页 |
| 2 石墨烯/硅肖特基光电探测器的研究 | 第29-39页 |
| 2.1 石墨烯的大面积生长和表征 | 第29-31页 |
| 2.1.1 石墨烯的大面积生长 | 第29-30页 |
| 2.1.2 石墨烯的表征 | 第30-31页 |
| 2.2 石墨烯/硅肖特基二极管的制备工艺 | 第31-34页 |
| 2.3 石墨烯/硅肖特基二极管性能测试 | 第34-38页 |
| 2.3.1 伏安特性测试 | 第34-36页 |
| 2.3.2 I-V曲线的理论分析 | 第36-37页 |
| 2.3.3 响应速度测试 | 第37-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 3 栅控石墨烯/硅混合结构光电二极管的研究 | 第39-49页 |
| 3.1 基于GIS+GS混合结构的负阻效应研究 | 第39-41页 |
| 3.1.1 GIS+GS混合结构器件设计 | 第39-40页 |
| 3.1.2 GIS+GS混合结构器件的测试 | 第40-41页 |
| 3.2 MOS+Schottky混合结构器件的仿真分析 | 第41-45页 |
| 3.2.1 COMSOL仿真工具介绍 | 第41-43页 |
| 3.2.2 模型仿真与理论分析 | 第43-45页 |
| 3.3 栅控GS二极管的设计和测试 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 4 基于石墨烯场效应的电荷耦合器件 | 第49-62页 |
| 4.1 FE-CCD器件的结构设计与工作原理 | 第49-52页 |
| 4.1.1 FE-CCD的单像素器件设计 | 第49-51页 |
| 4.1.2 FE-CCD电荷读出原理 | 第51-52页 |
| 4.2 FE-CCD单像素器件的测试 | 第52-58页 |
| 4.2.1 实验系统搭建 | 第52-55页 |
| 4.2.2 FE-CCD测试及结果分析 | 第55-58页 |
| 4.3 FE-CCD的短波红外响应 | 第58-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 5 FE-CCD的阵列器件研究 | 第62-70页 |
| 5.1 线阵FE-CCD的器件和驱动电路设计 | 第62-64页 |
| 5.2 FE-CCD的拍照实验 | 第64-67页 |
| 5.2.1 FE-CCD的可见光拍照实验 | 第64-65页 |
| 5.2.2 FE-CCD的红外拍照实验 | 第65-67页 |
| 5.3 FE-CCD的电荷转移实验 | 第67-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 6 总结和展望 | 第70-73页 |
| 6.1 总结 | 第70-71页 |
| 6.2 展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 攻读硕士期间取得科研成果 | 第80-81页 |