| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 薄膜晶体管的应用 | 第11-15页 |
| 1.1.1 TFT-LCD | 第12-13页 |
| 1.1.2 TFT-OLED | 第13-14页 |
| 1.1.3 TFT-EPD | 第14-15页 |
| 1.2 薄膜晶体管的研究状况 | 第15-17页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的结构 | 第15-16页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的基本原理 | 第16-17页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管的性能表征 | 第17页 |
| 1.3 常见的薄膜晶体管 | 第17-19页 |
| 1.4 MgZnO基薄膜晶体管的研究进展 | 第19-20页 |
| 1.5 论文创新点及研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 MgZnO:N TFT的研制 | 第21-33页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 MgZnO:N TFT的制备 | 第21-23页 |
| 2.3 结果与分析 | 第23-32页 |
| 2.3.1 有源层厚度对MgZnO:N TFT性能的影响 | 第23-26页 |
| 2.3.2 退火温度对MgZnO:N TFT性能的影响 | 第26-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 MgZnO:Li TFT的研制 | 第33-41页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 MgZnO:Li TFT的制备 | 第33-35页 |
| 3.3 结果与分析 | 第35-40页 |
| 3.3.1 溅射氩氧比对MgZnO:Li TFT性能的影响 | 第35-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 室温双层InZnO:Li/MgZnO:TFT的研制 | 第41-49页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 双层InZnO:Li/MgZnO:Li TFT的制备 | 第41-42页 |
| 4.3 结果与分析 | 第42-48页 |
| 4.3.1 室温单层InZnO:Li TFT和MgZnO:Li TFT电学特性 | 第42-44页 |
| 4.3.2 室温双层InZnO:Li/MgZnO:Li TFT电学特性 | 第44-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 全文总结及展望 | 第49-51页 |
| 5.1 全文总结 | 第49-50页 |
| 5.2 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 作者简历 | 第56-58页 |
| 学位论文数据集 | 第58页 |
