| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 透明电子学 | 第9-10页 |
| 1.3 透明阻变存储器 | 第10-14页 |
| 1.3.1 阻变存储器 | 第10-11页 |
| 1.3.2 透明阻变存储器的材料 | 第11-12页 |
| 1.3.3 透明阻变存储器的性能指标 | 第12页 |
| 1.3.4 透明阻变存储器的阻变机理 | 第12-14页 |
| 1.4 透明阻变存储器的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 器件的制备及性能表征 | 第16-22页 |
| 2.1 器件制备 | 第16-18页 |
| 2.1.1 阻变功能层的沉积 | 第16-17页 |
| 2.1.2 电极的制备 | 第17-18页 |
| 2.2 薄膜性能表征 | 第18-21页 |
| 2.2.1 厚度表征—台阶仪 | 第18页 |
| 2.2.2 结晶取向表征—XRD | 第18-19页 |
| 2.2.3 表面形貌表征—原子力显微镜 | 第19-20页 |
| 2.2.4 透过率测试—紫外-可见光分光光度计 | 第20页 |
| 2.2.5 电阻率测量—四探针 | 第20-21页 |
| 2.3 器件电学特性测试 | 第21-22页 |
| 第三章 单层ZnO透明阻变器件的制备与特性研究 | 第22-39页 |
| 3.1 ITO电极的优化 | 第22-25页 |
| 3.1.1 溅射功率对薄膜性能的影响 | 第22-23页 |
| 3.1.2 溅射压强对薄膜性能的影响 | 第23-25页 |
| 3.2 ZnO薄膜生长工艺对器件性能的影响 | 第25-35页 |
| 3.2.1 氧分压对器件性能的影响 | 第25-29页 |
| 3.2.2 衬底温度对器件性能的影响 | 第29-32页 |
| 3.2.3 溅射功率对器件性能的影响 | 第32-35页 |
| 3.3 光照对器件性能的影响 | 第35-37页 |
| 3.4 单层ZnO透明器件阻变机理分析 | 第37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 叠层ZnO透明阻变器件的制备与特性研究 | 第39-48页 |
| 4.1 叠层ZnO透明阻变存储器件的制备与性能测试 | 第39-45页 |
| 4.1.1 ZnO-HfO_x叠层阻变存储器件的构建 | 第39-40页 |
| 4.1.2 HfO_x厚度对ITO/HfO_x/ZnO/ITO叠层阻变存储器件的影响 | 第40-42页 |
| 4.1.3 不同ZnO-HfO_x叠层结构阻变存储器件的性能研究 | 第42-45页 |
| 4.2 叠层ZnO结构阻变机理分析 | 第45-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
