| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 半导体光催化制氢的基本原理 | 第12-13页 |
| 1.3 紫外光响应催化剂的研究进展 | 第13页 |
| 1.4 可见光响应催化剂的研究进展及提高光催化活性 | 第13-21页 |
| 1.4.1 染料的光敏化 | 第14-15页 |
| 1.4.2 贵金属沉积 | 第15-17页 |
| 1.4.3 离子掺杂光催化剂 | 第17-19页 |
| 1.4.4 固溶体光催化剂 | 第19-20页 |
| 1.4.5 半导体复合型光催化剂 | 第20-21页 |
| 1.5 本论文研究思路 | 第21-22页 |
| 第二章 MOS_2-g-C_3N_4光催化剂的制备与性能研究 | 第22-38页 |
| 2.1 g -C_3N_4研究现状 | 第22-26页 |
| 2.1.1 g-C_3N_4的结构 | 第22-23页 |
| 2.1.2 g-C_3N_4的制备方法 | 第23-25页 |
| 2.1.3 g-C_3N_4最新进展 | 第25-26页 |
| 2.2 MoS_2- g-C_3N_4光催化剂的制备 | 第26-29页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第26页 |
| 2.2.2 实验仪器及设备 | 第26-27页 |
| 2.2.3 实验部分 | 第27-29页 |
| 2.3 MoS2-g-C_3N_4的表征结果及光催化性能讨论 | 第29-38页 |
| 2.3.1 MoS2-g-C_3N_4的 XRD | 第29-30页 |
| 2.3.2 g-C_3N_4和 MoS2-g-C_3N_4的 SEM 和 TEM 图 | 第30页 |
| 2.3.3 MoS2- g-C_3N_4FTIR 和 XPS 分析 | 第30-33页 |
| 2.3.4 g-C_3N_4的 UV 分析 | 第33页 |
| 2.3.5 MoS2/ g-C_3N_4的光催化活性 | 第33-35页 |
| 2.3.6 g-C_3N_4和 MoS_2/ g-C_3N_4的 PL 分析 | 第35-36页 |
| 2.3.7 MoS2- g-C_3N_4光催化反应机理图 | 第36-38页 |
| 第三章 Nb_2O_5/CdS 的制备及光催化性能的研究 | 第38-48页 |
| 3.1 CdS 研究现状 | 第38-42页 |
| 3.1.1 CdS 的概况 | 第38页 |
| 3.1.2 CdS 的制备方法及应用 | 第38-41页 |
| 3.1.3 CdS 的最新进展 | 第41-42页 |
| 3.2 Nb_2O_5/CdS 的制备 | 第42-44页 |
| 3.2.1 实验原料 | 第42页 |
| 3.2.2 实验仪器及设备 | 第42-43页 |
| 3.2.3 实验部分 | 第43页 |
| 3.2.4 Nb_2O_5/CdS 光催化性能的研究 | 第43-44页 |
| 3.3 Nb_2O_5/CdS 形貌及性能研究 | 第44-48页 |
| 3.3.1 XRD 分析 | 第44页 |
| 3.3.2 TEM 分析 | 第44-45页 |
| 3.3.3 UV-Vis 分析 | 第45-46页 |
| 3.3.4 PL 分析 | 第46页 |
| 3.3.5 Nb_2O_5/CdS 的光催化活性 | 第46-48页 |
| 第四章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
