| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-10页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 本文的研究内容和意义 | 第9-10页 |
| 第二章 相关背景知识介绍 | 第10-32页 |
| 2.1 有机场效应晶体管 | 第10-15页 |
| 2.1.1 有机场效应晶体管的发展历程 | 第10-11页 |
| 2.1.2 有机场效应晶体管的基本结构 | 第11-12页 |
| 2.1.3 有机场效应晶体管的工作原理 | 第12-13页 |
| 2.1.4 有机场效应晶体管的电学表征方法 | 第13-15页 |
| 2.2 有机场效应晶体管中的半导体 | 第15-24页 |
| 2.2.1 半导体材料 | 第16-21页 |
| 2.2.2 半导体薄膜生长模式及表征方法 | 第21-23页 |
| 2.2.3 半导体粒子结晶度及表征方法 | 第23-24页 |
| 2.3 有机场效应晶体管中的栅介电层 | 第24-27页 |
| 2.3.1 栅介电层材料及修饰方法 | 第25-26页 |
| 2.3.2 栅介电层表面粗糙度及表征方法 | 第26-27页 |
| 2.3.3 栅介电层表面能及表征方法 | 第27页 |
| 2.4 有机场效应晶体管中的源漏电极 | 第27-30页 |
| 2.4.1 源漏电极材料 | 第28页 |
| 2.4.2 源漏电极与半导体层的接触电阻 | 第28-29页 |
| 2.4.3 常用的源漏电极的修饰方法 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 有机场效应晶体管界面的单层修饰研究 | 第32-44页 |
| 3.1 基于OTS的半导体与绝缘层界面的自组装单层修饰 | 第32-36页 |
| 3.1.1 器件制备 | 第33页 |
| 3.1.2 结果与讨论 | 第33-36页 |
| 3.2 基于PMMA的半导体与绝缘层界面的聚合物修饰 | 第36-39页 |
| 3.2.1 器件制备 | 第36-37页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第37-39页 |
| 3.3 基于NDI-DBT材料的半导体与源漏电极界面的修饰 | 第39-43页 |
| 3.3.1 器件制备 | 第40-41页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 绝缘层修饰材料的退火方式对器件性能的影响研究 | 第44-49页 |
| 4.1 研究方法与实验操作 | 第44-46页 |
| 4.2 不同退火方式下生长的并五苯形貌分析 | 第46-47页 |
| 4.3 不同退火方式下生长的并五苯结晶度分析 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 双层聚合物修饰的高性能有机场效应晶体管研究 | 第49-66页 |
| 5.1 研究方法与实验操作 | 第49-57页 |
| 5.1.1 器件结构优化 | 第50-55页 |
| 5.1.2 双层聚合物修饰与OTS修饰的对比 | 第55-57页 |
| 5.2 双层聚合物修饰的器件的稳定性分析 | 第57-59页 |
| 5.3 双层聚合物修饰后的表面能分析 | 第59-61页 |
| 5.4 双层聚合物修饰下生长的并五苯形貌分析 | 第61-63页 |
| 5.5 双层聚合物修饰下生长的并五苯结晶度分析 | 第63-65页 |
| 5.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第74-75页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第75-76页 |
| 附录4 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
